"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного и InGaN/GaN лазеров
Седова И.В.1, Сорокин С.В.1, Торопов А.А.1, Кайгородов В.А.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Луценко Е.В.2, Павловский В.Н.2, Зубелевич В.З.2, Гурский А.Л.2, Яблонский Г.П.2, Dikme Y.3, Kalisch H.3, Szymakowski A.3, Jansen R.H.3, Schineller B.4, Heuken M.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Institut fur Theoretische Elektrotechnik, RWTH, Aachen, Germany
4AIXTRON AG, Aachen, Germany
Поступила в редакцию: 22 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследована фотолюминесценция и генерация Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различным дизайном активной области, излучающих в зеленом спектральном диапазоне (длины волн lambda=510-530 нм) в широком интервале температур и интенсивностей накачки азотным лазером. Минимальный порог генерации 10 кВт/см2, максимальная внешняя квантовая эффективность 12% и максимальная выходная мощность 20 Вт были получены для структуры, активная область которой состояла из трех изолированных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками CdSe. Лазеры имели высокую температурную стабильность порога генерации (характеристическая температура T0=330 K до 100oC). Впервые предложен и исследован интегральный конвертер, состоящий из зеленого Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера, оптически накачиваемого синим InGaN/GaN-лазером с множественными квантовыми ямами, выращенным на подложке Si (111).
  1. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuama, S. Kijima, A. Ishibashi. Electron. Lettt., 34, 282 (1998)
  2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jap. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996).
  3. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 79 (13), 1948 (2001)
  4. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita. Appl. Phys. Lett., 70 (8), 981 (1997)
  5. P.G. Eliseev, M. Osinski, J. Lee, T. Sugahara, S. Sakai. J. Electorn. Mater., 29, 332 (2000)
  6. A. Valster, M.N. Finke, M.J.B. Boermans, J.M.M. Heijden, C.J.G.P. Spreuwenberg, C.T.H.F. Liedenbaum. Proc. 12th IEEE Int. Semiconductor Laser Conf. (Davos, 1990) PD-12
  7. H. Hamada, K. Tominaga, M. Shono, S. Honda, K. Yodoshi, T. Yamaguchi. Electron. Lett., 28, 18 334 (1992)
  8. Y. Kaneko, I. Nomura, K. Kishino, A. Kikuchi. J. Appl. Phys., 74 (2), 819 (1993)
  9. D.J. Mowbray, O.P. Kowalski, M. Hopkinson, M.S. Skolnick, J.P.R. David. Appl. Phys. Lett., 65, 213 (1994)
  10. C.J. Verie. Electron. Mater., 27, 782 (1998)
  11. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, P.S. Kop'ev, G.R. Posina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
  12. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 73, 2104 (1998)
  13. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 498 (1999)
  14. D. Albert, J. Nurberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschunger, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 1957 (1999)
  15. V.N. Jmerik, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, N.M. Shmidt, I.V. Sedova, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 214/215, 502 (2000)
  16. S. Gundel, D. Albert. J. Nurberger, W. Faschinger. Phys. Rev. B, 60, R 16271 (1999)
  17. M.M. Zverev, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, D.V. Peregoudov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Phys. St. Sol. B, 229 (1), 1025 (2002). 17aA.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 75, 2626 (1999)
  18. E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, A.I. Stognij, A.L. Gurskii, V.A. Hryshanau, A.S. Shulenkov, G.P. Yablonskii, O. Schon, H. Protzmann, M. Lunenburger, B. Schineller, Y. Dikme, R.H. Jansen, M. Heuken. Phys. St. Sol. C, 0, 272 (2002)
  19. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, M. Ikeda. Appl. Phys. Lett., 80 (19), 3497 (2002)
  20. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40 (11), 939 (1982)
  21. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1, с. 213
  22. G.P. Yablonskii, M. Heuken. In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Pavesi, S. Gaponenko, and L. Dal Negro (Kluwer Academic Publishers, 2002) [ NATO Sci. Ser. II. Mathematics, Physics and Chemistry, v. 93, p. 455]
  23. G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, I.P. Marko, A.L. Gurskii, V.Z. Zubialevich, A.V. Mudryi, O. Schon, H. Protzmann, M. Lunenburger, B. Schineller, M. Heuken, H. Kalisch, K. Heime. Appl. Phys. Lett., 79, 1953 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.