"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование омических контактов к полуизолирующему GaAs путем лазерного осаждения In
Казлаускене В.1, Кажукаускас В.2, Мишкинис Ю.1, Петравичюс А.1, Пурас Р.2, Сакалаускас С.2, Синюс Ю.1, Вайткус Ю.-В.2, Жиндулис А.2,1
1Вильнюсский университет, Физический факультет, Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюс, Литва
2Вильнюсский университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 10 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждением In. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.
  1. G. Vitali, I. Palumbo, M. Rossi, G. Zollo, C. Pizzuto. Phys. Rev. B, 53, 4757 (1996)
  2. V. Kav zukauskas, J. Storasta, J.-V. Vaitkus. Phys. Rev. B, 62, 10 882 (2000)
  3. A. Lakhani. J. Appl. Phys., 56, 1888 (1984)
  4. T. Sebestyen. Sol. St. Electron., 25, 543 (1982)
  5. J.M. Woodall, J.L. Freeouf, G.D. Pettit, T. Jackson, P. Kirchner. J. Vac. Sci. Technol., 19, 626 (1981)
  6. D.W. Davies, D.V. Morgan, H. Thomas. Semicond. Sci. Technol., 14, 615 (1999)
  7. V. Kazlauskiene, V. Kav zukauskas, J. Miv skinis, A. Petraviv cius, R. P\=uras, S. Sakalauskas, J. Sinius, J. Vaitkus, A. v Zindulis. Lithuan. J. Phys., 41, 357 (2001)
  8. S. Sakalauskas, A. Sodeika. Rev. Sci. Instrum., 69, 466 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.