"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование омических контактов к полуизолирующему GaAs путем лазерного осаждения In
Казлаускене В.1, Кажукаускас В.2, Мишкинис Ю.1, Петравичюс А.1, Пурас Р.2, Сакалаускас С.2, Синюс Ю.1, Вайткус Ю.-В.2, Жиндулис А.2,1
1Вильнюсский университет, Физический факультет, Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюс, Литва
2Вильнюсский университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 10 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждением In. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.
  • G. Vitali, I. Palumbo, M. Rossi, G. Zollo, C. Pizzuto. Phys. Rev. B, 53, 4757 (1996)
  • V. Kav zukauskas, J. Storasta, J.-V. Vaitkus. Phys. Rev. B, 62, 10 882 (2000)
  • A. Lakhani. J. Appl. Phys., 56, 1888 (1984)
  • T. Sebestyen. Sol. St. Electron., 25, 543 (1982)
  • J.M. Woodall, J.L. Freeouf, G.D. Pettit, T. Jackson, P. Kirchner. J. Vac. Sci. Technol., 19, 626 (1981)
  • D.W. Davies, D.V. Morgan, H. Thomas. Semicond. Sci. Technol., 14, 615 (1999)
  • V. Kazlauskiene, V. Kav zukauskas, J. Miv skinis, A. Petraviv cius, R. P\=uras, S. Sakalauskas, J. Sinius, J. Vaitkus, A. v Zindulis. Lithuan. J. Phys., 41, 357 (2001)
  • S. Sakalauskas, A. Sodeika. Rev. Sci. Instrum., 69, 466 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.