Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждением In. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.