"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки
Щеулин А.С.1, Купчиков А.К.1, Ангервакс А.Е.1, Рыскин А.И.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы радиочастотный отклик, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых кристалов n-типа CdF2 : In, CdF2 : Ga и CdF2 : Y с барьером Шоттки. Особенности указанных характеристик объяснены на основе предположения о транспорте заряда из металла в обедненный слой, обусловленном образованием в приконтактной области возбуждений Cd0 за счет поставляемых металлом (Au) пар электронов. Эти возбуждения осуществляют компенсацию доноров в слое объемного заряда толщиной порядка микрометра, прилегающего к контакту.
  1. I. Balberg. J. Appl. Phys., 58, 2903 (1985)
  2. П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998)
  3. F. Nrautweiler, R. Moser, R.P. Khoshla. J. Phys. Chem. Sol., 29, 1869 (1968)
  4. J.E. Dmochowski, W. Jantsch, D. Dobosz, J.M. Langer. Acta Phys. Polon. A, 73, 27 (1988)
  5. A.S. Shcheulin, A.I. Pyskin, K. Swialek, J.M. Langer. Phys. Lett., A, 222, 107 (1996)
  6. А.И. Рыскин, П.П. Федоров. ФТТ, 39, 1050 (1996)
  7. D.E. Onopko, A.I. Ryskin. Phys. Rev. B, 61, 12 962 (2000)
  8. C.H. Park, J.D. Chadi. Phys. Rev. Lett., 82, 113 (1999)
  9. A.S. Shcheulin, A.K. Kupchikov, A.E. Angervaks, D.E. Onopko, A.I. Ryskin, A.I. Ritus, A.V. Pronin, A.A. Volkov, P. Lunkrnheimer, A. Loidl. Phys. Rev. B, 623, 205 207 (2001)
  10. F. Moser, D. Matz, S. Lyu. Phys. Rev., 182, 808 (1969)
  11. J.M. Kanger, T. Langer, G.L. Pearson, B. Krukowska-Fulde, U. Piekara. Phys. St. Sol. ( b), 66, 537 (1974)
  12. S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, R.A. Linke, A.E. Angervaks. Physica B, 308--310, 1035 (2001)
  13. R.A. Linke, A.S. Shcheulin, A.I. Ryskin, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. Appl. Phys. B (Lasers and Optics), 72, 677 (2001)
  14. A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, E.V. Miloglyadov, R.A. Linke, I. Redmond, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. J. Appl. Phys., 83, 2215 (1998)
  15. B.A. Orlowski, J.M. Langer. Acta Phys. Polon. A, 63, 107 (1983)
  16. R. Mach, E.U. Messerschmidt. Phys. St. Sol. ( a), 42, K187 (1977)
  17. J. Garbarczyk, B. Krukowska-Fulde, T. Langer, J.M. Langer. J. Phys. D: Appl. Phys., 11, L17 (1978)
  18. A. Singh. Sol. St. Electron., 26, 815 (1983)
  19. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких ценров в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  20. A.I. Ritus, A.V. Pronin, A.A. Volkov, P. Lunkenheimer, A. Loidl, A.S. Shcheulin, A.I. Ryskun. Phys. Rev. B, 65, 165 209 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.