Исследованы особенности образования толстых слоев пористого кремния на кремниевых подложках n-типа в гальваностатическом режиме. Обнаружен скачок на зависимостях напряжение-время в процессе анодирования при освещении видимым светом без ИК составляющей. Скачок сопровождается возникновением крупноблочного нарушенного слоя кремния. Показано, что эти эффекты связаны с недостаточной концентрацией дырок, необходимых для травления кремния. В результате механизм генерации неосновных носителей изменяется от радиационного на механизм лавинного пробоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.