"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей
Горячев Д.Н.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Исследованы особенности образования толстых слоев пористого кремния на кремниевых подложках n-типа в гальваностатическом режиме. Обнаружен скачок на зависимостях напряжение--время в процессе анодирования при освещении видимым светом без ИК составляющей. Скачок сопровождается возникновением крупноблочного нарушенного слоя кремния. Показано, что эти эффекты связаны с недостаточной концентрацией дырок, необходимых для травления кремния. В результате механизм генерации неосновных носителей изменяется от радиационного на механизм лавинного пробоя.
  • A. Uhlir. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956)
  • C. Levy-Clement, A. Logoubi, M. Tomkiewicz. J. Electrochem. Soc., 141, 958 (1994)
  • P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang. IEEE Electron Dev. Lett., 14, 317 (1993)
  • Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993). [Semiconductors, 27, 1078 (1993)]
  • Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1130 (2000). [Semiconductors, 34, 1090 (2000)]
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.