Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль слоев Al_0.3Ga_0.7As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al_0.3Ga_0.7As в режиме квантового эффекта Холла

Дричко И.Л.¹, Дьяконов А.М.¹, Смирнов И.Ю.¹, Гальперин Ю.М.^1,2, Преображенский В.В.³, Торопов А.И.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет Осло, Норвегия, и Аргоннская Национальная Лаборатория, США
³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 17 ноября 2003 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью акустических методов исследована комплексная высокочастотная проводимость гетероструктур GaAs/Al_0.3Ga_0.7As, delta- и модулированно легированных Si, в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. По зависимостям поглощения и скорости поверхностных акустических волн от магнитного поля определены как активная sigma₁, так и реактивная sigma₂ части комплексной проводимости sigma(omega,H)=sigma_i-isigma₂. Показано, что в гетероструктурах с электронной концентрацией n_s=(1.3-7)· 10¹¹ см^-2 и подвижностью mu=(1-2)· 10⁵ см²/(В·с) ВЧ проводимость вблизи центров холловских плато является прыжковой. Установлено, что при факторах заполнения 2 и 4 проводимость слоя Al_0.3Ga_0.7As<Si> существенно шунтирует прыжковую ВЧ проводимость двумерного интерфейсного слоя. Разработан метод разделения вкладов в прыжковую проводимость sigma(omega,H) от интерфейсного слоя и слоя Al_0.3Ga_0.7As<Si>. Определена длина локализации электронов в интерфейсном слое на основе модели одноэлектронных прыжков на ближайший узел. Показано, что в гетероструктурах GaAs/Al_0.3Ga_0.7As вблизи центров холловских плато как sigma(omega,H), так и n_s зависят от скорости охлаждения образца. В результате образец "помнит" условия охлаждения. Величины sigma(omega,H) и n_s чувствительны также к инфракрасному облучению и к статической деформации образца. Мы связываем эти факты с присутствием в слое Al_0.3Ga_0.7As<Si> двухэлектронных дефектов - так называемых DX^--центров.

R.E. Prange, S.M. Girvin, eds. The Quantum Hall Effect, second edition (Springer-Verlag, N. Y., 1990)
M. Pollak, T. Geballe. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 89, 1834 (1985)
I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Phys. Rev. B, 62, 7470 (2000)
M. Furlan. Phys. Rev. B, 57, 14 818 (1998)
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett., 39, 635 (1977)
E. Buks, H. Heiblum, H. Shtrikman. Phys. Rev. B, 49, 14 790 (1994)
I.L. Drichko, A.M. Diakonov, Yu.M. Galperin, A.V. Patsekin, I.Yu. Smirnov, A.I. Toropov. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--22, 2001) p. 582
I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.V. Preobrazenskii, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--22, 2002) p. 520
I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.V. Preobrazenskii, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Toropov. Physica E, 17, 276 (2003)
И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов. ФТП, 31, 451 (1997)
И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов. ФТП, 31, 1092 (1997)
N.V. Zotova, S.A. Karandashev, D.A. Matveev, A.V. Pentsov, S.V. Slobodchikov, N.N. Smirnova, N.M. Stus', G.N. Talalakin, I.I. Markov. Proc. 1991 Optoelectronic sensors based on narrow band A^IIIB^V alloys, Chemical, Biochemical and Environmental Fiber Sensors (Boston) III SPIE 1587, p. 334
T. Suski, P. Wisnevski, I. Gorczyca, L.H. Dmowski, R. Piotrzkovski, P. Sobkowicz, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 50, 2723 (1994)
W. Knap, W. Zduniak, L.H. Dmowski, S. Contreras, M.I. Dyakonov. Phys. St. Sol., 198, 267 (1996)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W.T. Masselink, R. Fisher, Yia-Chung Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
M. Foygel, A.G. Petukhov, A.S. Andreev. Phys. Rev. B, 48, 17 018 (1993)
M.M. Fogler, A.Yu. Dobin, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 57, 4614 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель