"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Гапонова Д.М.1, Иконников А.В.1, Маремьянин К.В.1, Морозов С.В.1, Садофьев Ю.Г.2, Johnson S.R.2, Zhang Y.-H.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb / InAs / AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T=4.2 K. При подсветке ИК излучением homega=0.6-1.2 эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. В коротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно--дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, заxватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При homega>3.1 эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.
  1. C. Nguyen, B. Brar, C.R. Bolognesi, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. J. Electron. Mater., 22, 255 (1993)
  2. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  3. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 60, 1854 (1992)
  4. S. Ideshita, A. Furukawa, Y. Mochizuki, M. Mizuta. Appl. Phys. Lett., 60, 2549 (1992)
  5. J.D. Dow, J. Shen, S.Y. Ren. Superlat. Microstruct., 13, 405 (1993)
  6. D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 47, 13 478 (1993)
  7. J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl. Phys., 73, 8313 (1993)
  8. J. Shen, H. Goronkin, J.D. Dow, S.Y. Ren. J. Appl. Phys., 77, 1576 (1995)
  9. A. Furukawa, S. Ideshita. J. Appl. Phys., 75, 5012 (1994)
  10. I. Lo, W.C. Mitchell, M.O. Manasreh, C.E. Stutx, K.R. Evans. Appl. Phys. Lett., 60, 751 (1992)
  11. Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  12. C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994)
  13. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  14. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  15. I. Vufgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  16. M. Cardona, F.H. Pollak, K.L. Shaklee. Phys. Rev. Lett., 16, 644 (1966)
  17. M.L. Cohen, T.K. Bergstresser. Phys. Rev., 141, 789 (1966)
  18. A. Nakagawa, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 57, 1551 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.