"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Гапонова Д.М.1, Иконников А.В.1, Маремьянин К.В.1, Морозов С.В.1, Садофьев Ю.Г.2, Johnson S.R.2, Zhang Y.-H.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb / InAs / AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T=4.2 K. При подсветке ИК излучением homega=0.6-1.2 эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. В коротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно--дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, заxватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При homega>3.1 эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.
  • C. Nguyen, B. Brar, C.R. Bolognesi, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. J. Electron. Mater., 22, 255 (1993)
  • G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  • C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 60, 1854 (1992)
  • S. Ideshita, A. Furukawa, Y. Mochizuki, M. Mizuta. Appl. Phys. Lett., 60, 2549 (1992)
  • J.D. Dow, J. Shen, S.Y. Ren. Superlat. Microstruct., 13, 405 (1993)
  • D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 47, 13 478 (1993)
  • J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl. Phys., 73, 8313 (1993)
  • J. Shen, H. Goronkin, J.D. Dow, S.Y. Ren. J. Appl. Phys., 77, 1576 (1995)
  • A. Furukawa, S. Ideshita. J. Appl. Phys., 75, 5012 (1994)
  • I. Lo, W.C. Mitchell, M.O. Manasreh, C.E. Stutx, K.R. Evans. Appl. Phys. Lett., 60, 751 (1992)
  • Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  • C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994)
  • Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  • G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  • I. Vufgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • M. Cardona, F.H. Pollak, K.L. Shaklee. Phys. Rev. Lett., 16, 644 (1966)
  • M.L. Cohen, T.K. Bergstresser. Phys. Rev., 141, 789 (1966)
  • A. Nakagawa, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 57, 1551 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.