"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6--4.4 мкм О б з о р
Данилова Т.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Представлен обзор опубликованных нами работ по созданию и исследованию светодиодов для области спектра 1.6--4.4 мкм на основе гетероструктур, выращенных на подложке GaSb методом жидкофазной эпитаксии, позволяющим создавать слои достаточной толщины, изопериодные с GaSb. Активная область для спектральных диапазонов 1.8-2.4 и 3.4-4.4 мкм состояла из твердого раствора GaInAsSb, а для диапазона 1.6-1.8 мкм из твердого раствора AlGaAsSb. Широкозонные ограничительные слои AlGaAsSb содержали большое количество Al, до 64%, что является рекордным для метода жидкофазной эпитаксии. Создавались и исследовались несимметричные (GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) и симметричные (AlGaAsSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) гетероструктуры. Разрабатывались раличные виды конструкций, позволяющие улучшить выход генерированного в активной области излучения наружу. Измеренный внешний квантовый выход излучения достигал 6.0% при 300 K для светодиодов на длины волн 1.9--2.2 мкм. Получена импульсная оптическая мощность излучения 7 мВт при токе 300 мА со скважностью 2 и 190 мВт при токе 1.4 А со скважностью 200. В светодиодах, излучающих в спектральной области 3.4--4.4 мкм получен внешний квантовый выход излучения ~ 1% --- в 3 раза больший, чем в известной гетероструктуре InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложке InAs. Измеренное время жизни неосновных носителей заряда (5--50 нс) близко к теоретическому при учете только излучательной и ударной СНСС объемной рекомбинации. Ударная рекомбинация преобладает при температурах выше 200 K для светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 3.4--4.4 мкм, и выше 300 K для светодиодов, работающиx в спектральном диапазоне 1.6--2.4 мкм.
  • A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996)
  • M.R. Murti, B. Grietens, C. Van Hoof, G.J. Borghs. J. Appl. Phys., 78 (1), 578 (1995)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. Appl. Phys. Rev., 89 (11), 5815 (2001)
  • Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, М.Г. Мильвидский, М. Мухитдинов, Э.С. Михайев, В.М. Рожков, Е.Г. Шевченко. Измер. техника, N 6, 65 (1981)
  • А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А. Гусейнов, А.Н. Именков, А.М. Литвяк, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (9), 845 (1988)
  • А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15 (18), 71 (1989)
  • А. Андаспаева, А.Н. Баронов, Е.А. Гребенщикова, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23 (8), 1373 (1989)
  • А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (10), 1708 (1990)
  • Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 22 (8), 1381 (1988)
  • P.T. Landsberg, A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 8 (1), 73 (1959)
  • A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc. (London), 249 (256), 16 (1959)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1964) с. 392
  • А.А. Андаспаева, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.А. Попов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 19 (24), 5 (1993)
  • M. Nakao, S. Yashida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, 663 (1986)
  • А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (18), 12 (1997)
  • А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (20), 19 (1997)
  • А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (2), 72 (1998)
  • Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 239 (1999)
  • Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов, Н. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (5), 1 (2001)
  • A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)
  • Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  • Т.И. Воронина, Б.Е. Журтанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32 (3), 278 (1998)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 2 (23), 1066 (1976)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.М. Марахонов, Е.К. Смирнова, Г.Н. Шелованова. ЖТФ, 45 (2), 374 (1975)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.Д. Румянцев. ФТП, 9 (7), 1265 (1975)
  • В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк. ФТП, 10 (8), 1490 (1976)
  • Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.Б. Халфин. ФТП, 10 (8), 1497 (1976)
  • I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993)
  • R. Windisch, P. Heremans, A. Knobloc, P. Kiesel, G.H. Dohler, B. Dutta, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2256 (1999)
  • Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, А.В. Черняев, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (12), 1465 (2003)
  • Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38 (6), 745 (2004)
  • О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV групп (М., Мир, 1967).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.