"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Комбинированная модель резонансно-туннельного диода
Абрамов И.И.1, Гончаренко И.А.1, Коломейцева Н.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 21 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. В ней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что с помощью модели может быть получено удовлетворительное согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик диода. При этом пиковые напряжения определяются с хорошей точностью только при учете сопротивлений протяженных пассивных областей и поверхностного заряда на гетерограницах.
  • Ж.И. Алферов, А.Л. Асеев, С.В. Гапонов, П.С. Копьев, В.И. Панов, Э.А. Полторацкий, Н.Н. Сибельдин, Р.А. Сурис. Микросистемная техника, N 8, 3 (2003)
  • P. Mazumder, S. Kulkarni, M. Bhattacharya, J.P. Sun, G.I. Haddad. Proc. IEEE, 86 (4), 664 (1998)
  • Technology Roadmap for Nanoelectronics, ed. by R. Compano (European Commission, IST programme, Future and Emerging Technologies, 2000)
  • Л.В. Иогансен. ЖЭТФ, 45(2), 207 (1963)
  • R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22(11), 562 (1973)
  • И.И. Абрамов. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем (Минск, БГУ, 1999)
  • А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, N 9, 21 (1987)
  • И.Н. Долманов, В.И. Толстихин, В.Г. Еленский. Зарубеж. радиоэлектрон., N 7, 66 (1990)
  • Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электроники (М., Радио и связь, 1990)
  • Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications, ed. by L.L. Chang, E.E. Mendez and C. Tejedor (N.Y.--London, Plenum Press, 1991)
  • В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлектроники (Новосибирск, НГТУ, 2000)
  • R.K. Mains, I. Mehdi, G.I. Haddad. Appl. Phys. Lett., 55(25), 2631 (1989)
  • Y. Fu, Q. Chen, M. Willander, H. Brugger, U. Meiners. J. Appl. Phys., 74(3), 1874 (1993)
  • J.P. Sun, G.I. Haddad. VLSI Design, 3, 1 (1997)
  • А.А. Горбацевич, В.М. Колтыженков, А.Г. Цибизов. Изв. вузов. Электроника, N 4, 61 (2001)
  • O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92(4), 1987 (2002)
  • W.R. Frensley. Phys. Rev. B, 36(3), 1570 (1987)
  • N.C. Kluksdahl, A.M. Kriman, D.K. Ferry, C. Ringhofer. Phys. Rev. B, 39(11), 7720 (1989)
  • K.L. Jensen, F.A. Buot. J. Appl. Phys., 65(12), 5248 (1989)
  • B.A. Biegel, J.D. Plummer. Phys. Rev. B, 54(11), 8070 (1996)
  • P. Zhao, D.L. Woolard, B.L. Gelmont, H.-L. Cui. J. Appl. Phys., 94(3), 1833 (2003)
  • G. Klimeck, R. Lake, R.C. Bowen, W.R. Frensley, T.S. Moise. Appl. Phys. Lett., 67(17), 2539 (1995)
  • R.C. Bowen, G. Klimeck, R.K. Lake, W.R. Frensley, T. Moise. J. Appl. Phys., 81(7), 3207 (1997)
  • R. Lake, G. Klimeck, R.C. Bowen, D. Jovanovich. J. Appl. Phys., 81(12), 7845 (1997)
  • J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, J.N. Schulman. Proc. IEEE, 86(4), 641 (1998)
  • И.А. Обухов. Микросистемная техника, N 2, 23 (2001)
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989)
  • J.P. Sun. Modeling of semiconductor quantum devices and its application (Ph.D. Thesises, Dep. of EECS, Univ. of Michigan, Ann Arbor, 1993)
  • S. Mohan, J.P. Sun, P. Mazumder, G.I. Haddad. IEEE Trans., CAD-14(6), 653 (1995)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Элекромагнит. волны и электрон. системы, 7(3), 54 (2002)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 11-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2001) с. 443
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 1(9)/2, 88 (2000)
  • И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
  • Туннельные явления в твердых телах, ред. Э. Бурштейн, С. Лундквист (М., Мир, 1973)
  • Nanostructure Physics and Fabrication, ed. M.A. Reed, W.P. Kirk (San Diego, Academic Press, 1989)
  • Y. Zohta, T. Tanamoto. J. Appl. Phys., 74(11), 6996 (1993)
  • И.И. Абрамов. Курс лекций "Моделирование элементов интегральных схем" (Минск, БГУ, 1999)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 2(14)/2, 170 (2002)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.А. Игнатенко, А.В. Королев, Е.Г. Новик, А.И. Рогачев. Микроэлектроника, 32(32), 124 (2003)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Низкоразмерные системы-2 (Гродно, ГрГУ, 2002) с. 21
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 1(11)/3, 77 (2001)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 12-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2002) с. 464
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 13-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2003) с. 534
  • T.B. Boykin, R.C. Bowen, G. Klimeck, K.L. Lear. Appl. Phys. Lett., 75(9), 1302 (1999)
  • M.V. Fischetti, S.E. Laux. Phys. Rev. B, 38(14), 9721 (1988)
  • V.J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Rev. Lett., 58(12), 1256 (1987)
  • C.Y. Huang. J.E. Morris, Y.K. Su. J. Appl. Phys., 82, 2690 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.