"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокаций
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Предложена гипотеза, позволяющая по-новому объяснить влияние дисклокций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Ее сущность заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Проанализировано два случая. В первом случае результирующий ток определяется туннелированием электронов и дырок по дислокациям с последующей рекомбинацией в условиях неполного спрямления барьера. Показано, что в этом случае электролюминесценция имеет некраевой характер, а энергия максимума полосы электролюминесценции смещается в коротковолновую область с понижением температуры и увеличением приложенного напряжения. Во втором случае в полном токе доминирует диффузионная составляющая, излучательная рекомбинация происходит в квазинейтральных областях, а электролюминесценция имеет краевой характер. Показано, что предлагаемый механизм может привести к увеличению интенсивности электролюминесценции и ее квантовой эффективности в кремниевых диодах с дислокациями, если время жизни Шокли--Рида--Холла не превышает 10-3 c.
  • M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  • T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  • W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Lewdain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  • J.M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, M. Helm. Appl. Phys. Lett., 83, 3885 (2003)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, В.И. Вдовин. ФТТ, 46, 39 (2004)
  • V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeis. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  • V.V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  • O.B. Gusev, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. In: Proc. NATO workshop "Toward the First Silicon Laser" (Trento, 2002): М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. Матер. совещ. Нанофотоника" (Нижний Новгород, Россия 2003) т. 1, с. 59
  • А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. ФТП, 38, 570 (2004)
  • A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, V.V. Chernenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. \& Oproelectron., 7, 5 (2004)
  • H. Schlangenotto, H. Maeder, W. Gerlach. Phys. Status Solidi A, 21, 357 (1974)
  • M. Ruff, M. Fick, R. Lindner, U. Rossler, R. Helbig. J. Appl. Phys., 74, 267 (1993)
  • Электронные свойства дислокаций, под ред. Ю.А. Осипьяна (М., Эдиториал УРСС, 2000)
  • В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34, 1357 (2000)
  • В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, 20, 1143 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.