"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокаций
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Предложена гипотеза, позволяющая по-новому объяснить влияние дисклокций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Ее сущность заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Проанализировано два случая. В первом случае результирующий ток определяется туннелированием электронов и дырок по дислокациям с последующей рекомбинацией в условиях неполного спрямления барьера. Показано, что в этом случае электролюминесценция имеет некраевой характер, а энергия максимума полосы электролюминесценции смещается в коротковолновую область с понижением температуры и увеличением приложенного напряжения. Во втором случае в полном токе доминирует диффузионная составляющая, излучательная рекомбинация происходит в квазинейтральных областях, а электролюминесценция имеет краевой характер. Показано, что предлагаемый механизм может привести к увеличению интенсивности электролюминесценции и ее квантовой эффективности в кремниевых диодах с дислокациями, если время жизни Шокли--Рида--Холла не превышает 10-3 c.
  1. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  2. T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  3. W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Lewdain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  4. J.M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, M. Helm. Appl. Phys. Lett., 83, 3885 (2003)
  5. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, В.И. Вдовин. ФТТ, 46, 39 (2004)
  6. V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeis. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  7. V.V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  8. O.B. Gusev, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. In: Proc. NATO workshop "Toward the First Silicon Laser" (Trento, 2002): М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. Матер. совещ. Нанофотоника" (Нижний Новгород, Россия 2003) т. 1, с. 59
  9. А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. ФТП, 38, 570 (2004)
  10. A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, V.V. Chernenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. \& Oproelectron., 7, 5 (2004)
  11. H. Schlangenotto, H. Maeder, W. Gerlach. Phys. Status Solidi A, 21, 357 (1974)
  12. M. Ruff, M. Fick, R. Lindner, U. Rossler, R. Helbig. J. Appl. Phys., 74, 267 (1993)
  13. Электронные свойства дислокаций, под ред. Ю.А. Осипьяна (М., Эдиториал УРСС, 2000)
  14. В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34, 1357 (2000)
  15. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, 20, 1143 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.