"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структуры полупроводник-диэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра
Ковтонюк Н.Ф.1, Мисник В.П.1, Соколов А.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт Комета", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Рассмотрена кинетика электронных процессов в фотомишенях видиконов на основе структур полупроводник-диэлектрик из узкозонных полупроводников с учетом стекания заряда в слое диэлектрика и релаксации неравновесной обедненной области в полупроводниковом слое. Приведена оценка времени накопления, пороговой чувствительности, разрешающей способности фотомишеней при различных уровнях входного излучения.
  1. Н.Ф. Ковтонюк. ЖПС, 26 (1), 162 (1977)
  2. Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник. РЭ, 47 (9), 1145 (2002)
  3. Справочник по инфракрасной технике, под ред. У. Волф, Г. Циссис (М., Мир, 1999) т. 3
  4. Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, Л.И. Ванина. ФТП, 9 (6), 1208 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.