"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Иконников А.В.1, Садофьев Ю.Г.2, Bird J.P.2, Jonhson S.R.2, Zhang Y.-H.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

С помощью ламп обратной волны в диапазоне 150-700 ГГц исследованы спектры циклотронного резонанса в гетероструктурах AlSb / InAs / AlSb с квантовыми ямами с концентрацией двумерных электронов от 2.7·1011 до 8·1012 см-2 при 4.2 K. Обнаружено значительное возрастание циклотронной массы от 0.03m0 до 0.06m0 с ростом концентрации электронов (и соответственно энергии Ферми), что типично для полупроводников с непараболическим законом дисперсии. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с теоретическими расчетами циклотронных масс на уровне Ферми в рамках упрощенной модели Кейна.
  • G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  • H. Kroemer, C. Nguyen, B. Brar. J. Vac. Sci. Technol., 10, 1769 (1992)
  • C. Nguyen, B. Brar, C.R. Bolognesi, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. J. Electron. Mater., 22, 255 (1993)
  • Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  • B.R. Bennett, M.J. Yang, B.V. Shanabrook, J.B. Boos, D. Park. Appl. Phys. Lett., 72, 1193 (1998)
  • S. Brosig, K. Ensslin, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Physica E, 2, 214 (1998)
  • M.J. Yang, K.A. Cheng, C.H. Yang, J.C. Culbertson. Appl. Phys. Lett., 80, 1201 (2002)
  • M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, R.J. Wagner, J.R. Waterman, W.J. Moore, B.V. Shanabrook. Semicond. Sci. Technol., 8, S129 (1993)
  • J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S133 (1993)
  • M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, R.J. Wagner, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 1691 (1993)
  • C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994)
  • Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  • G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  • G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures (Halsted Press, N. Y., 1988) p. 31--61
  • В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Л.М. Батукова, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Т.С. Кунцевич, И.Г. Малкина, Т.Н. Янькова. ФТП, 26, 516 (1992)
  • I. Prevot, B. Vinter, F.H. Julien, F. Fossard, X. Marcadet. Phys. Rev. B, 64, 195 318 (2001)
  • D.C. Larrabee, G.A. Khodaparast, J. Kono, K. Ueda, Y. Nakajima, M. Nakai, S. Sasa, M. Inoue, K.I. Kolokolov, J. Li, C.Z. Ning. Appl. Phys. Lett., 83, 3936 (2003)
  • A. Furukawa, S. Ideshita. J. Appl. Phys., 75, 5012 (1994)
  • D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 47, 13 478 (1993)
  • J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl. Phys., 73, 8313 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.