"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства
Гриценко В.А.1, Насыров К.А.2, Гриценко Д.В.1, Новиков Ю.Н.1, Асеев А.Л.1, Ли Д.Х.3, Ли Д.-В.3, Ким Ч.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Samsung Advanced Institute of Technology, P. O. Box 111, Suwon 440-600, Korea
Поступила в редакцию: 11 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~3 В.
  • S.M. Sze. In: Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky (John Wiley \& Sons, Inc., 1999) p. 135
  • P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, E. Zanony. Proc. IEEE, 85 (5), 1248 (1997)
  • J. Bu, M.H. White. Sol. St. Electron., 45, 113 (2001)
  • International Technology Roadmap, http : // public.itrs.net /, (2003)
  • K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92 (5), 2953 (2002)
  • Y.I. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (9), 1553 (1996)
  • Y.-C. King, T.-J. King, C. Hu. IEEE Electron. Dev. Lett., 20 (8), 409 (1999)
  • B. De Salvo, G. Gibaudo, G. Pananakakis, P. Masson, T. Baron, N. Buffet, A. Fernandes, B. Guillaumot. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (8), 1789 (2001)
  • Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pen, E.C. Kan. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (9), 1614 (2002)
  • M. She, T.-J. King. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1934 (2003)
  • D.-W. Kim, T. Kim, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1823 (2003)
  • J.J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
  • G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001)
  • E.P. Gusev, E. Cartier, D.A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic. Microelectronic Engin., 59, 341 (2001)
  • Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002)
  • V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov. Proc. 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), November 18--20, Grenoble, France (2002) c. 179
  • V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev. Микроэлектроника, 32 (2), 69 (2003)
  • V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, J.-W. Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Sol. St. Electron., 47 (10), 1651 (2003)
  • C. Lee, S. Hur, Y. Shin, J. Ghoi, D. Park, K. Kim. Abstracts 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan (2002) c. 162
  • V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
  • В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  • V.V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, G.J. Adrianssen, M.M. Heyns. Microelectronic Engin., 59, 335 (2001)
  • M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanasiev, A. Stesmans, S. Haukka, M.M. Heyns. J. Appl. Phys., 87, 8615 (2000)
  • S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara, M. Hirose. Microelectronic Engin., 59, 373 (2001)
  • В.И. Белый, В.В. Воскобойников, А.С. Гиновкер, Е.А. Криворотов, С.П. Синица. Микроэлектроника, 2, 182 (1971)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.