"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства
Гриценко В.А.1, Насыров К.А.2, Гриценко Д.В.1, Новиков Ю.Н.1, Асеев А.Л.1, Ли Д.Х.3, Ли Д.-В.3, Ким Ч.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Samsung Advanced Institute of Technology, P. O. Box 111, Suwon 440-600, Korea
Поступила в редакцию: 11 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~3 В.
  1. S.M. Sze. In: Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky (John Wiley \& Sons, Inc., 1999) p. 135
  2. P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, E. Zanony. Proc. IEEE, 85 (5), 1248 (1997)
  3. J. Bu, M.H. White. Sol. St. Electron., 45, 113 (2001)
  4. International Technology Roadmap, http : // public.itrs.net /, (2003)
  5. K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92 (5), 2953 (2002)
  6. Y.I. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (9), 1553 (1996)
  7. Y.-C. King, T.-J. King, C. Hu. IEEE Electron. Dev. Lett., 20 (8), 409 (1999)
  8. B. De Salvo, G. Gibaudo, G. Pananakakis, P. Masson, T. Baron, N. Buffet, A. Fernandes, B. Guillaumot. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (8), 1789 (2001)
  9. Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pen, E.C. Kan. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (9), 1614 (2002)
  10. M. She, T.-J. King. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1934 (2003)
  11. D.-W. Kim, T. Kim, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1823 (2003)
  12. J.J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
  13. G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001)
  14. E.P. Gusev, E. Cartier, D.A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic. Microelectronic Engin., 59, 341 (2001)
  15. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002)
  16. V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov. Proc. 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), November 18--20, Grenoble, France (2002) c. 179
  17. V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev. Микроэлектроника, 32 (2), 69 (2003)
  18. V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, J.-W. Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Sol. St. Electron., 47 (10), 1651 (2003)
  19. C. Lee, S. Hur, Y. Shin, J. Ghoi, D. Park, K. Kim. Abstracts 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan (2002) c. 162
  20. V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
  21. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  22. V.V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, G.J. Adrianssen, M.M. Heyns. Microelectronic Engin., 59, 335 (2001)
  23. M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanasiev, A. Stesmans, S. Haukka, M.M. Heyns. J. Appl. Phys., 87, 8615 (2000)
  24. S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara, M. Hirose. Microelectronic Engin., 59, 373 (2001)
  25. В.И. Белый, В.В. Воскобойников, А.С. Гиновкер, Е.А. Криворотов, С.П. Синица. Микроэлектроника, 2, 182 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.