"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe
Косяченко Л.А.1, Маслянчук Е.Л.1, Склярчук В.М.1
1Черновицкий национальный университет Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Исследованы электрические характеристики детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe с диодами Шоттки. Экспериментальные данные получены на диодах Al/p-CdTe с удельным сопротивлением подложки в пределах от 102 до 109 Ом·см (300 K). Полученные результаты интерпретируются в рамках теории генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей диода Шоттки. Показано, что в случае использования полуизолирующего CdTe наблюдаемые значительные прямые токи обусловлены инжекцией электронов в подложку.
  1. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1966)
  2. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 1, 805 (1967)
  3. P. Siffert, B. Rabin, H.Y. Tabatabai, R. Stuck. Nucl. Instrum. Meth., 150, 31 (1978)
  4. A.J. Dabrovski, J. Iwanczyk, W.M. Shymczyk, P. Kokoschinego, J. Stelzhammer. Nucl. Instrum. Meth., 150, 25 (1978)
  5. T. Takahashi, K. Hirose, C. Matsumoto, K. Takizawa, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori, Y. Tomita. Proc. SPIE, 3446, 29 (1998)
  6. C. Matsumoto, T. Takahashi, K. Takizawa, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori. IEEE Trans Nucl. Sci., 45, 428 (1998)
  7. T. Takahashi, B. Paul, K. Hirose, C. Matsumoto, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori, Y. Tomita. Nucl. Instrum. Meth. A, 436, 111 (2000)
  8. T. Takahasi, S. Watanabe, G. Sato, Y. Okada, S. Kubo, Y. Kuroda, M. Onishi, R. Ohno. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 287 (2001)
  9. T. Takahasi, S. Watanabe, IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
  10. Home page of Amptek Inc.: www.amptek.com
  11. C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  12. L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, Z.I. Zakharuk, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, I.V. Solonchuk, I.S. Kabanova. Semiconductors, 37, 238 (2003)
  13. L.A. Kosyachenko, O.L. Maskyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Meter. and Solar Cells, 82 (1/2), 65 (2004)
  14. D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth. A, 380, 117 (1996)
  15. M. Zha, E. Gombia, F. Bissoli, A. Zappettini, L. Zanotti. Phys. Status Solidi B, 229, 15 (2002)
  16. M. Fiederle, C. Eiche, M. Salk. J. Cryst. Growth, 146, 142 (1995)
  17. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Phys. Status Solidi C, 1, 925 (2004)
  18. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.