"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge
Паранчич С.Ю.1, Паранчич Л.Д.1, Макогоненко В.Н.1, Танасюк Ю.В.1, Андрийчук М.Д.1, Романюк В.Р.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 27 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.
  • D.D. Nolte. Photorefractive effects and materials (Boston-Dordercht-London, Kluwer Academic Publishers, 1995)
  • C. Gu, Y. Xu, Y. Liu, J.J. Pan, F. Zhou, H. He. Opt. Mater., 23, 219 (2003)
  • Kreissl, H.-J. Schulz. Cryst. Growth, 161, 239 (1996)
  • H.-J. Schulz. Mater. Chem. Phys., 15 (5-6), 373 (1987)
  • M. Gauneau, R. Volle, G. Martel, J.Y. Moisan. Opt. Mater., 7, 21 (1997)
  • A. Partovi, J. Millerd, E.M. Garmire, M. Ziari, W.H. Steier, S.B. Trivedi, M.B. Klein. Appl. Phys. Lett., 57, 846 (1990)
  • Kh. Allachen, M. Tapiero, Z. Guellil, J.P. Zielinger, J.C. Launay. Cryst. Growth, 184/185, 1142 (1998)
  • A. Zerrai, G. Marrakachi, G. Bremond, J.Y. Moisan, G. Martel, M. Gauneau, B. Lambert, P. Gravey, N. Wolffer, A. Aoudia, Y. Marfaing, R. Triboulet, J.M. Koebel, M. Hadj-Ali, P. Siffert. Cryst. Growth, 161, 264 (1996)
  • С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, В.Р. Романюк, М.Д. Андрийчук, Ю.В. Танасюк. ЖПС, 70 (3), 381 (2003)
  • B. Briat, K. Shcherbin, B. Farid, F. Ramaz. Opt. Commun., 156, 337 (1998)
  • B. Briat, F. Ramaz, B. Farid, K. Shcherbin, H.J. von Bardeleben. Cryst. Growth, 197, 724 (1999)
  • K. Shcherbin, S. Odulov, F. Ramaz, B. Briat, H.J. von Bardeleben, P. Delaye, G. Roosen. Opt. Mater., 18, 151 (2001)
  • В.В. Матлак, К.Д. Товстюк, А.В. Савицкий, Е.С. Никонюк. ФТП, 6 (10), 2065 (1972)
  • Л.П. Щербак, Е.С. Никонюк, О.Э. Панчук, А.В. Савицкий, П.И. Фейчук, В.В. Матлак. Неорг. матер., 13 (3), 415 (1977)
  • O. Panchuk, A. Savitsky, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, L. Shcherbak, M. Ilashchuk, L. Yatsunyk, P. Feychuk. Cryst. Growth, 197, 607 (1999)
  • В.П. Заячкивский, А.В. Савицкий, Е.С. Никонюк, М.С. Кица, В.В. Матлак. ФТП, 8 (5), 1036 (1974)
  • А.Г. Куксов. ПТЭ, 3, 132 (1987)
  • Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-VI-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  • P. Christman, J. Kreissl, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, R. Schwarz, K.W. Benz. Cryst. Growth, 161, 259 (1996)
  • Yu.P. Gnatenko, I.O. Faryna, P.M. Bakivskij, O.A. Shigiltchoff, R.V. Gamernyk, S.Yu. Paranchych, L.D. Paranchych. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 7027 (2002)
  • Ю.П. Гнатенко, Р.В. Гамерник, И.А. Фарина, В.С. Блашкив, А.С. Крочук. ФТП, 30 (11), 1975 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.