"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge
Паранчич С.Ю.1, Паранчич Л.Д.1, Макогоненко В.Н.1, Танасюк Ю.В.1, Андрийчук М.Д.1, Романюк В.Р.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 27 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.
  1. D.D. Nolte. Photorefractive effects and materials (Boston-Dordercht-London, Kluwer Academic Publishers, 1995)
  2. C. Gu, Y. Xu, Y. Liu, J.J. Pan, F. Zhou, H. He. Opt. Mater., 23, 219 (2003)
  3. Kreissl, H.-J. Schulz. Cryst. Growth, 161, 239 (1996)
  4. H.-J. Schulz. Mater. Chem. Phys., 15 (5-6), 373 (1987)
  5. M. Gauneau, R. Volle, G. Martel, J.Y. Moisan. Opt. Mater., 7, 21 (1997)
  6. A. Partovi, J. Millerd, E.M. Garmire, M. Ziari, W.H. Steier, S.B. Trivedi, M.B. Klein. Appl. Phys. Lett., 57, 846 (1990)
  7. Kh. Allachen, M. Tapiero, Z. Guellil, J.P. Zielinger, J.C. Launay. Cryst. Growth, 184/185, 1142 (1998)
  8. A. Zerrai, G. Marrakachi, G. Bremond, J.Y. Moisan, G. Martel, M. Gauneau, B. Lambert, P. Gravey, N. Wolffer, A. Aoudia, Y. Marfaing, R. Triboulet, J.M. Koebel, M. Hadj-Ali, P. Siffert. Cryst. Growth, 161, 264 (1996)
  9. С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, В.Р. Романюк, М.Д. Андрийчук, Ю.В. Танасюк. ЖПС, 70 (3), 381 (2003)
  10. B. Briat, K. Shcherbin, B. Farid, F. Ramaz. Opt. Commun., 156, 337 (1998)
  11. B. Briat, F. Ramaz, B. Farid, K. Shcherbin, H.J. von Bardeleben. Cryst. Growth, 197, 724 (1999)
  12. K. Shcherbin, S. Odulov, F. Ramaz, B. Briat, H.J. von Bardeleben, P. Delaye, G. Roosen. Opt. Mater., 18, 151 (2001)
  13. В.В. Матлак, К.Д. Товстюк, А.В. Савицкий, Е.С. Никонюк. ФТП, 6 (10), 2065 (1972)
  14. Л.П. Щербак, Е.С. Никонюк, О.Э. Панчук, А.В. Савицкий, П.И. Фейчук, В.В. Матлак. Неорг. матер., 13 (3), 415 (1977)
  15. O. Panchuk, A. Savitsky, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, L. Shcherbak, M. Ilashchuk, L. Yatsunyk, P. Feychuk. Cryst. Growth, 197, 607 (1999)
  16. В.П. Заячкивский, А.В. Савицкий, Е.С. Никонюк, М.С. Кица, В.В. Матлак. ФТП, 8 (5), 1036 (1974)
  17. А.Г. Куксов. ПТЭ, 3, 132 (1987)
  18. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-VI-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  19. P. Christman, J. Kreissl, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, R. Schwarz, K.W. Benz. Cryst. Growth, 161, 259 (1996)
  20. Yu.P. Gnatenko, I.O. Faryna, P.M. Bakivskij, O.A. Shigiltchoff, R.V. Gamernyk, S.Yu. Paranchych, L.D. Paranchych. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 7027 (2002)
  21. Ю.П. Гнатенко, Р.В. Гамерник, И.А. Фарина, В.С. Блашкив, А.С. Крочук. ФТП, 30 (11), 1975 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.