"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов
Брудный В.Н.1, Гриняев С.Н.1, Колин Н.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до 800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами с энергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектов VAs, VIn, AsIn и InAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.
  • В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
  • M. Soukiassian, J.K. Albany, M. Vandevyver. Inst. Phys. Conf. Ser., N 31 (1977) p. 395.
  • Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 21 (3), 521 (1987)
  • В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 37 (4), 408 (2003)
  • В.В. Каратаев, Е.С. Юрова, М.Г. Мильвидский, Б.С. Фридштандт, Г.А. Немцова. Неорг. матер., 21 (10), 1631 (1985)
  • Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 20 (5), 822 (1987)
  • Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
  • Yang June Jung, Byund Ho Kim, Hyang Jae Lee. Phys. Rev. B, 26 (6), 3151 (1982)
  • В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, В.И. Фистуль. ФТП, 11 (9), 1718 (1977)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Материаловедение, 3 (72), 17 (2003)
  • T.W. Dobson, J.F. Wager. J. Appl. Phys., 66 (6), 1997 (1989)
  • W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 54 (21), 2094 (1989)
  • Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
  • S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 84 (6), 1232 (2000)
  • В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. (Томск, ТомГУ, 1993)
  • H.J. Bardeleben. Sol. St. Commun., 57 (2), 137 (1986)
  • N.D. Wilsey, T.A. Kennedy. Microscop. Identif. Electron. Defects Semicond. Symp. (San Francisco, 1985) (Pittsburg, Pa, 1985) p. 309
  • R.C. Newman. 13th Int. Conf. Def. in Semicond. (Coronado, 1984) (Warendale, Pa, 1985) p. 84
  • M.T. Ladjemi. These doct. ing. sci. mater. (Univ. Paris-Sud, 1982)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 37 (5), 557 (2003)
  • В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, 26 (3), 38 (1983)
  • С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39 (8), 13 (1996)
  • С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев. ФТП, 31 (5), 545 (1997)
  • S. Das Sarma, A. Madhukar. Phys. Rev. B, 24 (4), 2051 (1981)
  • W. Kuhn, R. Strehlow, M. Hanke. Phys. Status. Solidi A, 141 (2), 541 (1987)
  • В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 52 (1985)
  • M.S. Daw, D.L. Smith. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 1028 (1980)
  • W. Potz, D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 31 (2), 968 (1985)
  • W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeath, C.Y. Su, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
  • М.А. Бунин, Ю.А. Матвеев. ФТП, 19 (11), 2018 (1985)
  • В.В. Каратаев, М.И. Резников, В.И. Тальянский. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 57 (1986)
  • В.В. Каратаев, Г.А. Немцова, Н.С. Рытова, Т.Г. Югова. ФТП, 11 (9), 1670 (1977)
  • V.N. Brudnyi, S.A. Verobiev, A.A. Tsoi. Phys. Status. Solidi A, 72 (2), 529 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.