"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов
Брудный В.Н.1, Гриняев С.Н.1, Колин Н.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до 800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами с энергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектов VAs, VIn, AsIn и InAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.
  1. В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
  2. M. Soukiassian, J.K. Albany, M. Vandevyver. Inst. Phys. Conf. Ser., N 31 (1977) p. 395.
  3. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 21 (3), 521 (1987)
  4. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 37 (4), 408 (2003)
  5. В.В. Каратаев, Е.С. Юрова, М.Г. Мильвидский, Б.С. Фридштандт, Г.А. Немцова. Неорг. матер., 21 (10), 1631 (1985)
  6. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 20 (5), 822 (1987)
  7. Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
  8. Yang June Jung, Byund Ho Kim, Hyang Jae Lee. Phys. Rev. B, 26 (6), 3151 (1982)
  9. В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, В.И. Фистуль. ФТП, 11 (9), 1718 (1977)
  10. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998)
  11. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  12. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Материаловедение, 3 (72), 17 (2003)
  13. T.W. Dobson, J.F. Wager. J. Appl. Phys., 66 (6), 1997 (1989)
  14. W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 54 (21), 2094 (1989)
  15. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
  16. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 84 (6), 1232 (2000)
  17. В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. (Томск, ТомГУ, 1993)
  18. H.J. Bardeleben. Sol. St. Commun., 57 (2), 137 (1986)
  19. N.D. Wilsey, T.A. Kennedy. Microscop. Identif. Electron. Defects Semicond. Symp. (San Francisco, 1985) (Pittsburg, Pa, 1985) p. 309
  20. R.C. Newman. 13th Int. Conf. Def. in Semicond. (Coronado, 1984) (Warendale, Pa, 1985) p. 84
  21. M.T. Ladjemi. These doct. ing. sci. mater. (Univ. Paris-Sud, 1982)
  22. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 37 (5), 557 (2003)
  23. В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, 26 (3), 38 (1983)
  24. С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39 (8), 13 (1996)
  25. С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев. ФТП, 31 (5), 545 (1997)
  26. S. Das Sarma, A. Madhukar. Phys. Rev. B, 24 (4), 2051 (1981)
  27. W. Kuhn, R. Strehlow, M. Hanke. Phys. Status. Solidi A, 141 (2), 541 (1987)
  28. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 52 (1985)
  29. M.S. Daw, D.L. Smith. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 1028 (1980)
  30. W. Potz, D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 31 (2), 968 (1985)
  31. W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeath, C.Y. Su, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
  32. М.А. Бунин, Ю.А. Матвеев. ФТП, 19 (11), 2018 (1985)
  33. В.В. Каратаев, М.И. Резников, В.И. Тальянский. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 57 (1986)
  34. В.В. Каратаев, Г.А. Немцова, Н.С. Рытова, Т.Г. Югова. ФТП, 11 (9), 1670 (1977)
  35. V.N. Brudnyi, S.A. Verobiev, A.A. Tsoi. Phys. Status. Solidi A, 72 (2), 529 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.