"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Чалдышев В.В.1, Берт Н.Н.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150oC. Кластеры As--Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре 20 нм. Для измерений использовались барьеры Шоттки Au--n-GaAs, область объемного заряда которых при определенных смещениях охватывала узкий слой LT-GaAs с плоскостью кластеров. Зависимость емкости этой структуры от напряжения смещения показывает, что основная масса электронов, захваченных в этом слое, находится на ловушках, энергетический уровень которых лежит на ~0.5 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность состояний вблизи этой энергии составляет 1014 см-2эВ-1 и быстро уменьшается к середине запрещенной зоны. Существование ловушек с энергией активации термической эмиссии электронов ~0.5 эВ подтверждено методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Величина сечения захвата электронов, определенная этим методом, лежит в диапазоне 5·10-14-1·10-12 см2. Предполагается, что обнаруженный тип ловушек связан с крупными кластерами As--Sb.
  • M.R. Melloch, K. Mahaligam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • T.-C. Lin, T. Okumura. Japan. J. Appl. Phys., 35, 1630 (1996)
  • H. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 63, 085203--1 (2001)
  • P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Logaki, C. Fotakis. Appl. Phys. Lett., 79, 2883 (2001)
  • П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 38, 401 (2004)
  • V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng., B88, 195 (2002)
  • П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, ФТП, 32, 1170 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.