"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Чалдышев В.В.1, Берт Н.Н.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150oC. Кластеры As--Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре 20 нм. Для измерений использовались барьеры Шоттки Au--n-GaAs, область объемного заряда которых при определенных смещениях охватывала узкий слой LT-GaAs с плоскостью кластеров. Зависимость емкости этой структуры от напряжения смещения показывает, что основная масса электронов, захваченных в этом слое, находится на ловушках, энергетический уровень которых лежит на ~0.5 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность состояний вблизи этой энергии составляет 1014 см-2эВ-1 и быстро уменьшается к середине запрещенной зоны. Существование ловушек с энергией активации термической эмиссии электронов ~0.5 эВ подтверждено методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Величина сечения захвата электронов, определенная этим методом, лежит в диапазоне 5·10-14-1·10-12 см2. Предполагается, что обнаруженный тип ловушек связан с крупными кластерами As--Sb.
  1. M.R. Melloch, K. Mahaligam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  2. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  3. T.-C. Lin, T. Okumura. Japan. J. Appl. Phys., 35, 1630 (1996)
  4. H. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 63, 085203--1 (2001)
  5. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Logaki, C. Fotakis. Appl. Phys. Lett., 79, 2883 (2001)
  6. П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 38, 401 (2004)
  7. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng., B88, 195 (2002)
  8. П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, ФТП, 32, 1170 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.