"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках
Вишняков Н.В.1, Вихров С.П.1, Мишустин В.Г.1, Авачев А.П.1, Уточкин И.Г.1, Попов А.А.2
1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.
  1. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  2. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
  3. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  4. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  5. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин. Тез. докл. IV Межд. конф. по физ.-техн. проблемам электротех. матер. и компонентов. (М., Изд-во МЭИ, 2001) с. 93
  6. В.И. Архипов, В.М. Логин, А.И. Руденко, А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 22, 276 (1988)
  7. S.P. Vikhrov, V.A. Ligachev, N.V. Vishnyakov. Proc. SPIE (1992) p. 600
  8. Н.В. Вишняков. Вестн. РГРТА, 11, 98 (2003)
  9. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. Неупорядоченные полупроводники (М., Изд-во МЭИ, 1995)
  10. В.В. Ильченко, В.И. Стриха. ФТП, 18, 873 (1984)
  11. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, Д.Н. Гусев. Барьеры Шоттки на кристаллических и аморфных полупроводниках. Рязань, РГРТА, 1999
  12. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин, А.А. Попов, А.Е. Бердников. Тр. III Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., Россия, 2002) с. 31
  13. Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, И.Г. Уточкин. Вестн. РГРТА, 10, 74 (2002)
  14. S.P. Vikhrov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin, A.A. Popov. J. Optoelectr. Advan. Mater., 5 (5), 1249 (2003)
  15. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  16. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин, А.А. Попов. Патент РФ N 2229755 (2004)
  17. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, И.Г. Уточкин, А.П. Авачев. Тез. докл. 4-й Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., Россия, 2004) с. 313
  18. А.П. Авачев. Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства: Межвуз. сб. (Рязань, РГРТА, 2003) с. 19

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.