"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=<q x=<q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1
1Физико-технический институт Научно-производственного объединения "Физика--Солнце" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 9 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентов x (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.
  • А.С. Саидов, Б.И. Сушко, А.М. Тузовский. Тез. докл. V Координац. совещ. по исследованию и применению сплавов кремний--германий (Ташкент, 1981) с. 6
  • М.С. Саидов, С. Дадамухамедов, А.С. Саидов. ДАН УзССР, N 1, 29 (1984)
  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП, 37 (5), 513 (2003)
  • А.С. Саидов, Б. Сапаев, Э.А. Кошчанов. ДАН РУз, N 11, 18 (1994)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский. Письма ЖТФ, 30 (2), 61 (2004)
  • К.Л. Лютович, Л.Н. Стрельцов, А.С. Лютович. ФТП, 6 (1, 2), 199 (1972)
  • Х.Т. Акрамов, А.С. Лютович, К.Л. Лютович. Гелиотехника, N 6, 12 (1979)
  • И.Г. Атабаев. Автореф. докт. дис. (Ташкент, 2001)
  • А.Г. Забродский, В.А. Евсеев, Р.Ф. Коноплева. ФТП, 20 (11), 2042 (1986)
  • В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
  • М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. I, II
  • J. Nielsen, K.B. Nielsen, A.N. Larsen. Mater. Sci. Forum, 38--41, pt 1, 439 (15th Int. Conf. on Defects in Semiconductors. Budapest, Aug. 22--26, 1988)
  • B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrom, G. Gavies, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51 (26), 2257 (1987)
  • A.S. Oates, M.J. Binns, R.C. Newman, R.C. Tucker, J.G. Wilkes, A. Wilkinson. J. Phys. C, 17 (32), 5695 (1984)
  • G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12 (10), 4383 (1975)
  • A. Brelot. IEEE Trans. Nucl. Sci., 19, 22 (1972)
  • Б. Сапаев. Письма ЖТФ, 29 (20), 64 (2003)
  • Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянов, П.Л. Мельников. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, 1975)
  • A.Yu. Malinin, O.B. Nevsky. J. Electron. Mater., 7, 757 (1978)
  • A.Yu. Malini, O.B. Nevsky. J. Electron. Mater., 7, 775 (1978)
  • Е.Ф. Вегман, Ю.Г. Руфанов, И.Н. Федорченко. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография (М., Металлургия, 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.