"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Магнетизм кристаллов AIIIBV, легированных редкими землями
Баграев Н.Т.1, Романов В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2005 г.

Методика измерений статической магнитной восприимчивости используется для изучения процессов локального магнитоупорядочения в кристаллах AIIIBV, содержащих примеси редких земель. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости демонстрируют слабый парамагнетизм при высоких температурах вследствие наличия в кристаллах AIIIBV(Ln) квазимолекулярных центров типа Ln2O3, внутри которых пары ионов Ln3+ антиферроупорядочены посредством обменного взаимодействия через валентные электроны кислорода. При низких температурах ключевую роль играет локализация электронов на мелких донорах, которая приводит через s--0.5ptf-обмен либо к парамагнетизму исследуемых кристаллов вследствие трансформации квазимолекул Ln2O3 из антиферро- в ферроупорядоченное состояние, либо к их суперпарамагнетизму в результате образования связанных спин-поляронов. Причем значения констант s--0.5ptf-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, что, по-видимому, обусловлено эффективной компенсацией спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием.
  • S.T. Pantelides. In: Deep centers in semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon \& Breach, N.Y., 1986) p. 3
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984)
  • N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Mater. Sci. Forum, 10--12, 435 (1986)
  • N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 51, 515 (1984)
  • Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 92, 968 (1987)
  • S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, V.V. Romanov. Appl. Phys. Lett., 70, 1272 (1997)
  • Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, А.С. Савельев. ФТП, 8, 499 (1974)
  • Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, А.С. Савельев. ФТП, 12, 511 (1978)
  • Н.Т. Баграев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 47, 2331 (1983)
  • Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ, 25, 1435 (1983)
  • В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, 16, 173 (1982)
  • H. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann. J. Cryst. Growth, 64, 165 (1983)
  • H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys., 57, 2182 (1985)
  • G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Schneider, J. Windscheif. Phys. Rev. B, 31, 7767 (1985)
  • В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП, 25, 830 (1991)
  • I.D. Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Mater. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II, ed. by G. Pomrenke (St. Francisco, 1996) 422, p. 161
  • В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. Тез. докл. Всес. конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1986) с. 71
  • С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971)
  • Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. ЖЭТФ, 81, 2160 (1981)
  • C.P. Bean, J.D. Livingston. J. Appl. Phys. Suppl., 30, 120S (1959)
  • В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 21, 365 (1987)
  • K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. J. Cryst. Growth, 93, 583 (1988)
  • H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  • J. Wagner, H. Ennen, H.D. Muller. J. Appl. Phys., 59, 1202 (1986)
  • K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett., 50, 977 (1987)
  • К. Тейлор, М. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1974)
  • В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, 17, 948 (1982)
  • К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, В.В. Романов. И.А. Терлецкий, С.В. Штельмах. ФТП, 24, 1482 (1990)
  • В.В. Романов, И.А. Терлецкий, К.Ф. Штельмах. ФТП, 24, 1584 (1990)
  • Л.Ф. Захаренков, С.И. Марков, В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах. ФТП, 19, 1841 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.