"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм излучательной рекомбинации в твердых растворах Si--Ge в области межзонных переходов
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Мельникова Т.М.2, Абросимов Н.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НПО "Орион", Москва, Россия
3Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2005 г.

При T=82 и 300 K в области межзонных переходов исследована электролюминесценция в Si--Ge-диодах при концентрации Ge в твердом растворе 5.2%. Анализ спектров излучения, линейный характер зависимостей интенсивности электролюминесценции от тока, ее экспоненциальный спад указывают на экситонный механизм излучательной рекомбинации для излучательных переходов как с участием, так и без участия фононов.
  • T. Stoica, L. Vescan. Semicond. Sci. Technol., 18, 409 (2003)
  • А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
  • D.J. Robbins, L.T. Canham, S.J. Barnett, A.D. Pitt, P. Calcott. J. Appl. Phys., 71, 1407 (1992)
  • J. Weber, M.I. Alonso. Phys. Rev. B, 40, 5683 (1989)
  • T. Stoica, L. Vescan, M. Goryll. J. Appl. Phys., 83, 3367 (1998)
  • T. Stoica, L. Vescan, A. Muck, B. Hollader, G. Schope. Physica E, 16, 359 (2003)
  • B. Lax, T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • R. Braunstein, A.R. Moor, F. Herman. Phys. Rev., 109, 695 (1958)
  • Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1979)
  • А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова. ФТП, 38, 634 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.