"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния О б з о р
Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1, Мнацаканов Т.Т.2, Palmour J.W.3, Agarwal A.K.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3Cree Inc., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 1 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2005 г.

Рассмотрены высоковольтные биполярные приборы на основе 4H-SiC --- выпрямительные диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Приводятся результаты экспериментальных и теоретических исследований статических и динамических характеристик приборов. Проанализированы особенности их работы, обусловленные специфическими электронными свойствами карбида кремния и p-n-структур на его основе.
  • O. Kordina, C. Hallin, R.C. Glass, A. Henry, E. Janzen. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 41 (1994); H. Matsunami. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 45 (1994)
  • D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 51 (1994)
  • O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
  • A.K. Agarwal, S.H. Ryu, R. Singh, O. Kordina, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1387 (2000)
  • C.F. Huang, J.A. Cooper. IEEE Trans. EDL-24, 396 (2003)
  • M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 12, 1498 (1997)
  • N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Kozlov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-46, 2188 (1999)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 15, 908 (2000)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, K.G. Irvine, O. Kordina, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Electron. Lett., 35, 1382 (1999)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. Electron. Lett., 36, 1241 (2000)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans., ED-48, 1703 (2001)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, R. Singh, K.G. Irvine. Electron. Lett., 39, 689 (2003)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
  • N.I. Kuznetsov, E.V. Astrova, E.V. Kalinina, V.A. Dmitriev, H. Kohg, C.H. Carter. Proc. 3rd Int. HiTEC, (Albuquerque, NM, 1996) p. P77
  • T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  • B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 27, 905 (1956)
  • B. Lax, T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., 1968)
  • H. Schlangenotto, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 15, 393 (1972)
  • P.G. Neudeck, C. Fazi. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1037 (1998)
  • T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  • Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1371 (2000)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electorn., 30, 579 (1987)
  • Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  • T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
  • I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  • И.В. Грехов, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 37, 1148 (2003)
  • H. Benda, E. Shpenke. Proc. IEEE, 55, 1331 (1967)
  • L.V. Davies. Nature, 194, 762 (1962)
  • F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
  • J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1377 (1972)
  • R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 56, 2736 (1986)
  • R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 49, 572 (1986)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  • В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  • Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990)
  • S.H. Ryu, A.K. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. IEEE Trans., EDL-22, 124 (2001)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 567 (2002)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Abstract 10th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ISCSRM-2003) October 5-10, 2003, (Lyon, France) p. 64
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 16, 521 (2001)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Sol. St. Electron., 48, 491 (2004)
  • Y. Tang, J.B. Fedison, T.P. Chow. IEEE Trans., EDL-22, 119 (2001)
  • А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., 1986)
  • Y. Wang, W. Xie, J.A. Cooper, M.R. Melloch, J.W. Palmour. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, 809 (1995)
  • R. Hauser. IEEE Trans., ED-11, 238 (1964)
  • Properties advanced Semiconductor Materials: CaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, 2001)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electorn., 44, 2155 (2000)
  • A.K. Agarwal, P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, S.-H. Ryu. Semicond. Sci. Technol., 16, 260 (2001)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 45, 453 (2001)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 46, 529 (2002)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 1955 (2002)
  • M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 592 (2002)
  • M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)
  • L. Cao, B. Li, J.H. Zhao. Sol. St. Electron., 44, 347 (2000)
  • F.E. Gentry, F.W. Gutzwiller, N. Holohyak, E.E. Zastrow. Semiconductor controlled rectifiers (Englewood Clifs, N.J., Prentice--Hall, 1964)
  • R.L. Davies, J. Petruzella. Proc. IEEE, 55, 1318 (1967)
  • A. Blicher. Thyristor physics (Springer Verlag, N.Y.--Heidelberg--Berlin, 1976)
  • G.D. Bergman. Sol. St. Electron., 8, 757 (1965)
  • A.I. Uvarov. Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, eds. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 216
  • M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-45, 307 (1998)
  • С.В. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 9, 546 (1983)
  • Ю.А. Евсеев, П.Г. Дерменжи. Силовые полупроводниковые приборы (М., 1981)
  • И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 8, 672 (1974)
  • И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 10, 345 (1976)
  • М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 1674 (1978)
  • М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
  • М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 14, 478 (1980)
  • T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein, F.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 1581 (2003)
  • A.I. Uvarov. In: Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, ed. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 170
  • И.Л. Каганов. Промышленная электроника (М., 1968)
  • A.K. Agarwal, S. Seshadri, M. McMillan, S.S. Mani, J. Casady, P. Sanger, P. Shah. Sol. St. Electron., 44, 303 (2000)
  • N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 13, 241 (1998)
  • M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 14, 207 (1999)
  • A. Agarwall, C. Capell, B. Phan, J. Milligan, J.W. Palmour, J. Stambaugh, H. Bartlow, K. Brewer. Mater. Sci. Forum, 433--436, 785 (2003)
  • А.В. Блудов, Н.С. Болтовец, К.В. Василевский, А.В. Зоренко, К. Зекентес, В.А. Кривуца, Т.В. Крицкая, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 3, 82 (2004)
  • H. Lendenmann, J.P. Bergman, F. Dahlquist, H. Hallin. Mater. Sci. Forum, 433--436 901 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.