"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния О б з о р
Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1, Мнацаканов Т.Т.2, Palmour J.W.3, Agarwal A.K.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3Cree Inc., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 1 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

Рассмотрены высоковольтные биполярные приборы на основе 4H-SiC --- выпрямительные диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Приводятся результаты экспериментальных и теоретических исследований статических и динамических характеристик приборов. Проанализированы особенности их работы, обусловленные специфическими электронными свойствами карбида кремния и p-n-структур на его основе.
  1. O. Kordina, C. Hallin, R.C. Glass, A. Henry, E. Janzen. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 41 (1994); H. Matsunami. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 45 (1994)
  2. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 51 (1994)
  3. O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
  4. A.K. Agarwal, S.H. Ryu, R. Singh, O. Kordina, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1387 (2000)
  5. C.F. Huang, J.A. Cooper. IEEE Trans. EDL-24, 396 (2003)
  6. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 12, 1498 (1997)
  7. N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Kozlov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-46, 2188 (1999)
  8. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 15, 908 (2000)
  9. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, K.G. Irvine, O. Kordina, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Electron. Lett., 35, 1382 (1999)
  10. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. Electron. Lett., 36, 1241 (2000)
  11. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans., ED-48, 1703 (2001)
  12. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, R. Singh, K.G. Irvine. Electron. Lett., 39, 689 (2003)
  13. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
  14. N.I. Kuznetsov, E.V. Astrova, E.V. Kalinina, V.A. Dmitriev, H. Kohg, C.H. Carter. Proc. 3rd Int. HiTEC, (Albuquerque, NM, 1996) p. P77
  15. T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  16. B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 27, 905 (1956)
  17. B. Lax, T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  18. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., 1968)
  19. H. Schlangenotto, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 15, 393 (1972)
  20. P.G. Neudeck, C. Fazi. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1037 (1998)
  21. T. Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami. IEEE Trans., ED-46, 471 (1999)
  22. Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, J.W. Palmour. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1371 (2000)
  23. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electorn., 30, 579 (1987)
  24. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  25. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  26. И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
  27. I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  28. И.В. Грехов, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 37, 1148 (2003)
  29. H. Benda, E. Shpenke. Proc. IEEE, 55, 1331 (1967)
  30. L.V. Davies. Nature, 194, 762 (1962)
  31. F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
  32. J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1377 (1972)
  33. R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 56, 2736 (1986)
  34. R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 49, 572 (1986)
  35. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  36. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  37. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990)
  38. S.H. Ryu, A.K. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. IEEE Trans., EDL-22, 124 (2001)
  39. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 567 (2002)
  40. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Abstract 10th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ISCSRM-2003) October 5-10, 2003, (Lyon, France) p. 64
  41. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 16, 521 (2001)
  42. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.-H. Ryu. Sol. St. Electron., 48, 491 (2004)
  43. Y. Tang, J.B. Fedison, T.P. Chow. IEEE Trans., EDL-22, 119 (2001)
  44. А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., 1986)
  45. Y. Wang, W. Xie, J.A. Cooper, M.R. Melloch, J.W. Palmour. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, 809 (1995)
  46. R. Hauser. IEEE Trans., ED-11, 238 (1964)
  47. Properties advanced Semiconductor Materials: CaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, 2001)
  48. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electorn., 44, 2155 (2000)
  49. A.K. Agarwal, P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, S.-H. Ryu. Semicond. Sci. Technol., 16, 260 (2001)
  50. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 45, 453 (2001)
  51. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 46, 529 (2002)
  52. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 1955 (2002)
  53. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 592 (2002)
  54. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)
  55. L. Cao, B. Li, J.H. Zhao. Sol. St. Electron., 44, 347 (2000)
  56. F.E. Gentry, F.W. Gutzwiller, N. Holohyak, E.E. Zastrow. Semiconductor controlled rectifiers (Englewood Clifs, N.J., Prentice--Hall, 1964)
  57. R.L. Davies, J. Petruzella. Proc. IEEE, 55, 1318 (1967)
  58. A. Blicher. Thyristor physics (Springer Verlag, N.Y.--Heidelberg--Berlin, 1976)
  59. G.D. Bergman. Sol. St. Electron., 8, 757 (1965)
  60. A.I. Uvarov. Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, eds. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 216
  61. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans., ED-45, 307 (1998)
  62. С.В. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 9, 546 (1983)
  63. Ю.А. Евсеев, П.Г. Дерменжи. Силовые полупроводниковые приборы (М., 1981)
  64. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 8, 672 (1974)
  65. И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 10, 345 (1976)
  66. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 1674 (1978)
  67. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
  68. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 14, 478 (1980)
  69. T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein, F.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 1581 (2003)
  70. A.I. Uvarov. In: Physics of p--n-junctions and semiconductor devices, ed. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau, N.Y.--London, 1971) p. 170
  71. И.Л. Каганов. Промышленная электроника (М., 1968)
  72. A.K. Agarwal, S. Seshadri, M. McMillan, S.S. Mani, J. Casady, P. Sanger, P. Shah. Sol. St. Electron., 44, 303 (2000)
  73. N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 13, 241 (1998)
  74. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Semicond. Sci. Technol., 14, 207 (1999)
  75. A. Agarwall, C. Capell, B. Phan, J. Milligan, J.W. Palmour, J. Stambaugh, H. Bartlow, K. Brewer. Mater. Sci. Forum, 433--436, 785 (2003)
  76. А.В. Блудов, Н.С. Болтовец, К.В. Василевский, А.В. Зоренко, К. Зекентес, В.А. Кривуца, Т.В. Крицкая, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 3, 82 (2004)
  77. H. Lendenmann, J.P. Bergman, F. Dahlquist, H. Hallin. Mater. Sci. Forum, 433--436 901 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.