"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах
Зегря Г.Г.1, Соловьев И.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Теоретически исследована ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера на квантовых ямах с учетом эффекта насыщения коэффициента усиления. Показано, что при больших значениях плотности тока ватт-амперная характеристика становится нелинейной. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.
  • T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997); L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999)
  • J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81, 3146 (2002)
  • V.P. Evtikhiev, E.Yu. Kotelnikov, D.V. Dorofeyev, G.G. Zegrya. Proc. 8-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Symp. Nannostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 19--23, 2000) p. 407
  • О.Н. Кронин. ФТТ, 7, 2612 (1966)
  • V.M. Galitckij, V.F. Elesin. Resonans Coupling of Electromagnetic Fields and Semiconductors (Moscow, 1986)
  • К. Блум. Теория матрицы плотности и ее приложения (М., Мир, 1983)
  • L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  • A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev., 58, 4039 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.