"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом
Примаченко В.Е.1, Кононец Я.Ф.1, Булах Б.М.1, Венгер Е.Ф.1, Каганович Э.Б.1, Кизяк И.М.1, Кириллова С.И.1, Манойлов Э.Г.1, Цыркунов Ю.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследованы температурные зависимости фотоэдс при возбуждении ее импульсами красного и белого света большой интенсивности и разрешенные по времени релаксации спектральные зависимости фотолюминесценции на структурах пористого кремния (ПК--p-Si), полученных анодным травлением p-Si и легированных затем золотом с концентрацией его ионов в водном растворе 10-4 и 10-3M. После нанесения на пористый кремний полупрозрачных золотых электродов исследованы также вольт-амперные характеристики и электролюминесценция структур ПК--p-Si и ПК<Au>-p-Si. Показано, что легирование золотом изменяет граничный потенциал p-Si с положительного на отрицательный, изменяет величину и знак фотоэдс в пленках пористого кремния, ликвидирует явления фотопамяти, связанные с захватом неравновесных электронов в приграничные ловушки и в ловушки пористого кремния. Вольт-амперные и фотолюминесцентные характеристики существенно изменялись вследствие формирования в пористом кремнии нанокристаллов золота. На структурах Au--ПК<Au, 10-3M>--p-Si--Al обнаружена электролюминесценция, обусловленная свечением этих нанокристалов.
  1. A.G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  2. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871 (1999)
  3. В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  4. I. Coulthard, R. Sammyniaken, S.J. Naftel, P. Zhang, T.K. Sham. Phys. Status Solidi A, 182, 157 (2000)
  5. R.D. Fedorovich, A.G. Naumovets, P.M. Tomchuk. Phys. Reports, 328 (2--3), 74 (2000)
  6. Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 37, 136 (2002)
  7. Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, И.М. Кизяк, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко. ФТП, 38, 117 (2004)
  8. Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. ФТП, 36, 349 (2002)
  9. Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников. ФТП, 33, 1330 (1999)
  10. Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. УФЖ, 46, 1196 (2001)
  11. L. Burstein, Y. Shapira, J. Partee, J. Shinar, Y. Lubianiker, I. Balberg. Phys. Rev. B, 55, R 1930 (1997)
  12. З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
  13. S.I. Kirillova, V.E. Primachenko, E.E. Venger, V.A. Chernobai. Semicond. Phys., Quant. and Optoelectron., 4, 12 (2001)
  14. W. Long, P. Steiner, F. Kozlowski. J. Luminesc., 57, 341 (1993)
  15. N. Labic, J. Linnros. J. Appl. Phys., 80, 5971 (1996)
  16. С.К. Лазарук, П.В. Жагиро, А.А. Лешок, В.Е. Борисенко. Изв. АН. Сер. физ., 66, 179 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.