"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости в субмикронных кремниевых структурах
Гергель В.А.1, Гуляев Ю.В.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. С использованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.
  • J.L. Moll. Physics of Semiconductors (Mc-Graw-Hill, N. Y., 1964)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • K. Hess. Theory of Semiconductors Devices (Piscataway, N. Y., IEEE, 2000)
  • R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962)
  • T. Grasser, T.W. Tang, H. Kosina, S. Silberher. Proc. IEEE, 91 (2), (2003)
  • В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, А.П. Зеленый, М.Н. Якупов. ФТП, 38, 237 (2004)
  • W. Hansch, M. Miura-Mattausch. J. Appl. Phys., 60 (2), 650 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.