"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости в субмикронных кремниевых структурах
Гергель В.А.1, Гуляев Ю.В.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. С использованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.
  1. J.L. Moll. Physics of Semiconductors (Mc-Graw-Hill, N. Y., 1964)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  3. K. Hess. Theory of Semiconductors Devices (Piscataway, N. Y., IEEE, 2000)
  4. R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962)
  5. T. Grasser, T.W. Tang, H. Kosina, S. Silberher. Proc. IEEE, 91 (2), (2003)
  6. В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, А.П. Зеленый, М.Н. Якупов. ФТП, 38, 237 (2004)
  7. W. Hansch, M. Miura-Mattausch. J. Appl. Phys., 60 (2), 650 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.