"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок Zn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Гременок В.Ф.3, Зарецкая Е.П.3, Сергеева О.Н.3
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Методом селенизации получены поликристаллические пленки Zn2-2xCuxInxSe2 (ZCIS) p-типа проводимости с толщинами 1-2 мкм. На основе пленок созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-ZCIS. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности структур, полученных селенизацией исходных пленок ZnSe/(Cu--In) и (Zn--Cu--In). Определена оптическая ширина запрещенной зоны Zn2-2xCuxInxSe2 пленок. Сделаны выводы о перспективах применения полученных пленок в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
  1. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
  2. J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Oxford--N.Y.--Toronto--Sidney, Pergamon Press, 1975)
  3. H.W. Schock, R. Noufi. Progr. Photovolt., 39, 151 (2000)
  4. U. Rau, H.W. Schock. Series on Photoconversion of Solar Energy, 1, 277 (2001)
  5. K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.A. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
  6. B.M. Basol, V.K. Kapur. Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (IEEE, N.Y., 1990) p. 546
  7. T. Wada, T. Megami, M. Nishitani. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-2, 41 (1993)
  8. A. Gupta, T. Ohno, T. Karia, S. Shirakata, S. Isomura. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-3, 74 (1993)
  9. В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая, О.Н. Сергеева, В.Н. Пономарь, В.В. Цыбульский, В.А. Ухов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, 45 (2004)
  10. V.F. Gremenok, W. Schmitz, I.V. Bodnar, K. Bente, Th. Doering, G. Kommichau, I.A. Victorov, A. Eifler, V. Riede. Jpn. J. Appl. Phys., 39, Suppl. 39-1, 277 (2000)
  11. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Р.Н. Бекимбетов, В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, Л.В. Русак. ФТП, 34, 576 (2004)
  12. Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM (Philadelphia, PA, 1998)
  13. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 1336 (1997)
  14. V.Yu. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67/68, 391 (1999)
  15. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, с. 270. [Пер. с англ.: C.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto, A Wiley--Interscience Publication John Wiley \& Sons, 1981) v. 2]
  16. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  17. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ф. Гременок, Г.А. Ильчук. Письма ЖТФ, 30 (18), 21 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.