"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1, Лундин В.В.1, Усиков А.С.1, Паршин Е.О.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN, имплантированных ионами эрбия с энергией 1 МэВ и дозой 3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионов Er3+ в сверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига 700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8 раза) и максимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при 900oC. При увеличении температуры отжига до 1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.
  1. P.N. Favennec, H. L'Harridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Jap. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  2. A.J. Steckl, J.M. Zavada. MRS Bulletin, 24, 33 (1999)
  3. G.G. Zegrya, V.F. Masterov. Appl. Phys. Lett., 73, 3444 (1998)
  4. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, E.I. Shek, A.I. Besyul'kin, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Physica B, 340--342, 1108 (2003)
  5. E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, R. Goldenberg, G.S. Pomrenke. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 69 (1996)
  6. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, E.E. Reuter, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 77, 231 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.