"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1, Лундин В.В.1, Усиков А.С.1, Паршин Е.О.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN, имплантированных ионами эрбия с энергией 1 МэВ и дозой 3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионов Er3+ в сверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига 700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8 раза) и максимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при 900oC. При увеличении температуры отжига до 1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.
  • P.N. Favennec, H. L'Harridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Jap. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  • A.J. Steckl, J.M. Zavada. MRS Bulletin, 24, 33 (1999)
  • G.G. Zegrya, V.F. Masterov. Appl. Phys. Lett., 73, 3444 (1998)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, E.I. Shek, A.I. Besyul'kin, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Physica B, 340--342, 1108 (2003)
  • E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, R. Goldenberg, G.S. Pomrenke. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 69 (1996)
  • S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, E.E. Reuter, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 77, 231 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.