"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/PdPc/p-Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-Si. Исследованы механизмы токопереноса и фоточувствительность полученных структур. Сделан вывод о перспективах применения структур на основе тонких пленок PdPc при создании фоточувствительных структур, использующих контакт между полупроводниками органической и неорганической природы.
  1. А.Т. Вартянян. ЖФХ, 22, 769 (1948)
  2. С.С. Leznoff, A.B.P. Lever. Phthalocyanine, Properties and Application (Cambridge, VCH, 1989) p. 1
  3. N.B. Mckrown. Phthalocyanine. Materials --- Syntesis, Structure and Function (Cambridge. Cambridge University Press, 1998) p. 2
  4. P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  5. Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.М. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП 38, 1056 (2004)
  6. Yi-Qun Wu, Dong-Hong Gu, Fu-Xi Gan, Jun-Dong Wang, Nai-Sheng Chen. Chin. Phys. Lett., 19, 1700 (2002)
  7. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  8. Е. Hernandez. Cryst. Res. Techn., 33, 285 (1998)
  9. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  10. А.Н. Пихтин. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники ( М., Высш. шк., 1983)
  11. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (Энергия, М., 1976)
  12. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  13. А. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. (Мир, М. 1975).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.