"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN
Данильцев В.М.1, Гапонова Д.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Мурель А.В.1, Пряхин Д.А.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Эпитаксиальные слои GaInNAs были выращены методом металлорганической газофазной эпитаксии. Структура четверных сплавов изучалась методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Оптические свойства слоев изучались методами фотолюминесценции и фототоковых измерений. Были выращены слои GaInNAs, совпадающие по параметру решетки с GaAs. При расхождении параметров решетки менее чем 10-4 слои имели хорошую фотолюминесценцию, в то время как при большем несоответствии фотолюминесценция затухлала.
  • J.W. Ager III, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17, 741 (2002)
  • III--Vs Review, 13 (6), 25 (2000)
  • А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН Сер. физ., 68, 87 (2004)
  • Kurtz Sarah, R. Ready, G.D. Barber, J.F. Geisz, D.J. Fridman, W.E. McMahon, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 234, 318 (2002)
  • D.G. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, J.M. Olson, R. Reedy. J. Cryst. Growth, 195, 438 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.