"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/ PbPc/p-Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.2, Николаев Ю.А.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2
1Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PbPc/p-Si. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности в новых структурах. Сделан вывод о перспективах их применения в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.
  1. А.Т. Вартанян. ЖФХ, 22, 769 (1948)
  2. А.Т. Вартанян. ЖФХ, 32, 168 (1958)
  3. P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  4. Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Я.И. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП, 38 (9), (2004)
  5. Г. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  6. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977);
  7. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ Справочник, под. ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  8. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Willey-Intersci., N.Y., 1981)]
  10. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions. (Academic Press, N.Y., 1972)
  11. A. Stern, F. Prukhner. Z. Phys. Chem. A, 178, 420 (1937)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.