"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах
Баженов Н.Л.1, Мынбаев К.Д.1, Иванов-Омский В.И.1, Смирнов В.А.1, Евтихиев В.П.1, Пихтин Н.А.1, Растегаева М.Г.1, Станкевич А.Л.1, Тарасов И.С.1, Школьник А.С.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2005 г.

Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли--Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно как T3.
  • Д.З. Гарбузов, А.В. Чудинов, В.В. Агаев, В.П. Чалый, В.П. Евтихиев. ФТП, 18, 102 (1984); Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984); И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  • Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1. [Пер. с англ.: H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N.Y., Academic Press, 1978) v. 1]
  • G.P. Aggrawal, N.X. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (N.Y., Van Nostrand Reinhold Company, 1986) ch. 3, 9
  • В.П. Дураев, Г.И. Рябцев. Обзоры по электрон. техн. Сер. II. Лазерная техника и оптоэлектроника (М., ЦНИИ "Электроника"), вып. 5 [1376], 1 (1988)
  • B. Zhao, T.R. Chen, L.E. Eng, Y.H. Zhuang, A. Shakouri, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 65, 1805 (1994)
  • К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (4), 55 (1997)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000)
  • Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  • G.G. Zegrya, A.D. Andreev, N.A. Gun'ko, E.V. Frolushkina. Proc. SPIE, 2399, 307 (1995)
  • Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. В кн.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах, под ред. В.И. Ильина и А.Я. Шика (СПб., Наука, 2001) гл. 6, 7
  • L.V. Asryan, N.A. Cun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  • L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons. P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999)
  • Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
  • В. Карпус. ФТП, 20, 559 (1986)
  • Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapure--N.J.--London--N.Y., World Scientific, 1999) v. 2
  • В.П. Грибковский. Теория испускания и поглощения света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.