"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах
Баженов Н.Л.1, Мынбаев К.Д.1, Иванов-Омский В.И.1, Смирнов В.А.1, Евтихиев В.П.1, Пихтин Н.А.1, Растегаева М.Г.1, Станкевич А.Л.1, Тарасов И.С.1, Школьник А.С.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли-Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно как T3.
  1. Д.З. Гарбузов, А.В. Чудинов, В.В. Агаев, В.П. Чалый, В.П. Евтихиев. ФТП, 18, 102 (1984); Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984); И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  2. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1. [Пер. с англ.: H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N.Y., Academic Press, 1978) v. 1]
  3. G.P. Aggrawal, N.X. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (N.Y., Van Nostrand Reinhold Company, 1986) ch. 3, 9
  4. В.П. Дураев, Г.И. Рябцев. Обзоры по электрон. техн. Сер. II. Лазерная техника и оптоэлектроника (М., ЦНИИ "Электроника"), вып. 5 [1376], 1 (1988)
  5. B. Zhao, T.R. Chen, L.E. Eng, Y.H. Zhuang, A. Shakouri, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 65, 1805 (1994)
  6. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (4), 55 (1997)
  7. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000)
  8. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  9. G.G. Zegrya, A.D. Andreev, N.A. Gun'ko, E.V. Frolushkina. Proc. SPIE, 2399, 307 (1995)
  10. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
  11. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. В кн.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах, под ред. В.И. Ильина и А.Я. Шика (СПб., Наука, 2001) гл. 6, 7
  12. L.V. Asryan, N.A. Cun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  13. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons. P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999)
  14. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
  15. В. Карпус. ФТП, 20, 559 (1986)
  16. Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapure--N.J.--London--N.Y., World Scientific, 1999) v. 2
  17. В.П. Грибковский. Теория испускания и поглощения света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.