"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности сегрегационного перераспределения фосфора при термическом окислении сильно легированных слоев кремния
Александров О.В.1, Афонин Н.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения фосфора в системе SiO2--Si при термическом окислении сильно легированных слоев кремния, учитывающая образование приповерхностного пика концентрации примеси на межфазной границе. Образование приповерхностного пика концентрации связывается с изменением свободной энергии атомов примеси вблизи поверхности кремния и моделируется с помощью диффузионно-сегрегационного уравнения. Показана адекватность модели для описания перераспределения фосфора при окислении однородно легированных слоев кремния. В случае окисления имплантированных слоев кремния установлено, что коэффициент сегрегации фосфора на межфазной границе SiO2/Si не является постоянным, а зависит от времени таким же образом, как и переходная ускоренная диффузия в кремнии. Явление объясняется реакционным характером сегрегации примесей в процессе термического окисления кремния, при котором избыточные собственные точечные дефекты в имплантированном слое кремния оказывают влияние на процесс окисления и захвата атомов примеси растущим диоксидом кремния.
  • R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publising Company, 1981)
  • О.В. Александров. ФТП, 35, 1289 (2001)
  • О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984)
  • S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
  • R.B. Fair, J.J. Wortman, J. Lin, J. Electrochem. Soc., 131, 2387 (1984)
  • О.В. Александров, Н.Н. Афонин. Изв. вузов. Физика, N 12, 97 (1990)
  • N.J. Chou, Y.J. Van Der Meulen, R. Hammer, J. Cahill. Appl. Phys. Lett., 24, 200 (1974)
  • J.S. Johannessen, W.E. Spicer, J.F. Gibbons, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 48, 4453 (1978)
  • S.A. Schwarz, R.W. Barton, C.P. Ho, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 128, 1101 (1981)
  • О.В. Александров, Н.Н. Афонин, А.П. Коварский. Электрон. техн. Cер. 6, Материалы, вып. 4 (241), 73 (1989)
  • О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ФТП, 30, 1570 (1996)
  • K. Sakamoto, K. Nishi, F. Ichikawa, S. Ushio. J. Appl. Phys., 61, 1553 (1987)
  • F. Lau, L. Mader, C. Mazure, Ch. Werner, M. Orlowski. Appl. Phys. A, 49, 671 (1989)
  • M. Orlowski. Appl. Phys. Lett., 55, 1762 (1989)
  • C.P. Ho, J.D. Plummer, S.E. Hansen, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-30, 1438 (1983)
  • P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  • N. Jeng, S.T. Dunham. J. Appl. Phys., 72, 2049 (1992)
  • О.В. Александров, Д.С. Федоров. Изв. СПбГЭТУ, вып. 1, 16 (2002)
  • H.M. You, U. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 74, 2461 (1993)
  • E.A. Taft. J. Electrochem. Soc., 136, 3476 (1989)
  • А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоиздат, 1985)
  • А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 141
  • J.Y. Wang, A. Zalar, E.J. Mittemeijer. Appl. Surf. Sci., 222, 171 (2004)
  • О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ЖТФ, 73, 57 (2003).
  • Y. Sato, K. Imai, N. Yabumoto. J. Electrochem. Soc., 144, 2548 (1997)
  • P.B. Griffin, S.W. Crowder, J.M. Knight. Appl. Phys. Lett., 67, 482 (1995)
  • С.М. Репинский. ФТП, 35, 1050 (2001).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.