"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термодинамическая стабильность и перераспределение зарядов в тройных твердых растворах нитридов элементов III группы
Дейбук В.Г.1, Возный А.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 14 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

В модели дельта-параметра решетки исследована термодинамика твердых растворов AlGaN, InGaN и InAlN. Полученные фазовые диаграммы указывают на стабильность AlxGa1-xN во всем диапазоне концентрации x, в то время как для InxGa1-xN область спинодального распада составляет 0.2<x<0.69, для InxAl1-xN 0.16<x<0.7 при 1000 K. Учет биаксиальных деформаций ведет к понижению критической температуры и сужению области нестабильности. Анализ распределения плотности заряда, проведенный методом псевдопотенциала в приближении 32-атомных суперячеек, показал, что стабильность твердого раствора определяется соотношением дестабилизирующего вклада деформаций, связанных с рассогласованием постоянных решетки, и стабилизирующего обмена зарядом между различными химическими связями. Биаксиальная деформация уменьшает перераспределение заряда, вызванное деформациями, таким образом повышая стабильность твердого раствора.
  • S. Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (London, Taylor \& Francis, 2000)
  • J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu. Sol. St. Commun., 127, 411 (2003)
  • S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
  • M.J. Paisley, Z. Sitar, J.B. Posthil, R.F. Davis. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 701 (1989)
  • A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
  • L.K. Teles, J. Furthmuller, L.M. Scolfaro, J.R. Leite, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 62, 2475 (2000)
  • T. Ito. Phys. Status Solidi B, 217, R7 (2000)
  • D. Doppalapudi, S.N. Basu, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 84, 1389 (1998)
  • V.A. Elyukhin, S.A. Nikishin. Semicond. Sci. Technol., 11, 917 (1996)
  • В.Г. Дейбук. ФТП, 37, 1179 (2003)
  • I. Akasaki, H. Amano. In: GaN, ed. by J.I. Pankove, T.D. Moustakas (Academic, N. Y., 1998) v. 1, p. 459
  • A.N. Wistmeyer, S. Mahajan. Phys. Status Solidi B, 228, 161 (2001)
  • A. Kashner, A. Hoffmann, C. Thomsen, T. Bottcher, S. Einfeldt, D. Hommel. Phys. Status Solidi, A, 179, R4 (2000)
  • Y.-T. Moon, D.J. Kim, K.-M. Song. Phys. Status Solidi B, 210, 167 (1999)
  • I. Ho, G.B. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 69, 2701 (1996)
  • T. Matsuoka. J. Cryst. Growth, 189, 19 (1998)
  • R. Singh, T.D. Moustakas. First Int. Symp. "Gallium Nitride and Related Materials" [Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburgh, PA, 1996)] p. 163
  • K. Murano, T. Inushima, Y. Ono, T. Shiraishi, S. Ohoya, S. Yasaka. Phys. Status Solidi B, 228, 31 (2001)
  • S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta. J. Cryst. Growth, 195, 309 (1998)
  • L.K. Teles, L.M.R. Scolfaro, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J.R. Leite. Phys. Status Solidi B, 234, 956 (2002)
  • В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов, А.М. Слетов. ФТП, 36, 420 (2002)
  • А.В. Возный, В.Г. Дейбук. ФТП, 38, 316 (2004)
  • J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 30, 6217 (1984)
  • G.P. Srivastava, J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31, 2561 (1985)
  • A. Garcia, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 47, 4215 (1993)
  • K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, 7043 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.