"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC
Ледяев О.Ю.1, Стрельчук А.М.1, Кузнецов А.Н.1, Середова Н.В.1, Зубрилов А.С.1, Волкова А.А.1, Николаев А.Е.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выращенным слоем p+-6H-SiC. Проведенные в настоящей работе электрофизические исследования подтверждают достаточно хорошее качество полученных n-GaN/p-SiC-гетероструктур. Это показывает перспективность использования данной комбинации ростовых технологий для получения на основе гетеропереходов n-GaN/p-SiC биполярных и полевых транзисторов.
  • E. Danielsson, S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling, A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Dimitriev. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (2001)
  • N.I. Kuznetsov, A.E. Gubenco, A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, M.N. Blashenkov, I.P. Nikitina, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Eng. B, 46, 74 (1997)
  • J.T. Torvik, M. Leksono, J.I. Pankove, B.V. Zeghbroeck, H.M. Ng, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 72, 1371 (1998)
  • J.T. Torvic, C.-H. Qiu, M. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998)
  • J. Vacas, H. Lahre`che, T. Monteiro, C. Gaspar, E. Pereira, C. Brylinski, M.A. d'Forte-Poisson. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1651 (2000)
  • E. Danielsson, C.-M. Zetterling, M. Ostling, B. Breitholtz, K. Linthicum, D.B. Thomson, O.-H. Nam, R.F. Davis. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 320 (1999)
  • J.I. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R. Molnar, T.D. Moustakas, B. van Zeghbroeck. Proc. IEDM (San Francisco, CA) 389 (1994)
  • A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, N.I. Kuznetsov, A.M. Strelchuk, A.P. Kovarsky, K.V. Vassilevski, V.A. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 251 (1998)
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 50 (2000)
  • A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, M.N. Blashenkov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov, V.I. Nikolaev, V.A. Dmitriev, V.A. Soloviev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1, 45 (1996)
  • W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 68, 970 (1996)
  • B. Monemar, J.P. Bergman, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Proc. Int. Symp. "Blue Laser and Light Emitting Diodes" (Chiba Univ., Japan, March 5--7, 1996)
  • M. Kamp. Opt. Quant. Electron., 32, 227 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.