"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда в тонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe
Косяченко Л.А.1, Mathew X.2, Мотущук В.В.1, Склярчук В.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2Centro de Investigacion en Energia-UNAM, Temixco, Morelos, Mexico
Поступила в редакцию: 7 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.
  • R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci., 27, 625 (1997)
  • M.A. Green, K. Emery, D.L. King, S. Igari, W. Warta. Prog. Photovolt. Res., 11, 347 (2003)
  • A. Hanafusa, T. Aramoto, M. Tsuji, T. Yamamoto, T. Nishio, P. Veluchamy, H. Higuchi, S. Kumazawa, S. Shibutani, J. Nakajima, T. Arita, H. Ohyama, T. Hibino, K. Omura. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 67, 21 (2001)
  • A. De Vos, J.E. Parrot, P. Baruch, P.T. Landsberg. Proc. 12th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Amsterdam, 1994) p. 1315
  • N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, A. Romeo, V. Canevari. Sol. Mater. \& Solar Cells, 58, 209 (1999)
  • G. Agostinelli, D.L. Batzner, M. Burgelman. Thin Sol. Films, 431--432, 407 (2003)
  • C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  • K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
  • J. Fritsche, D. Kraft, A. Thissen, T. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Sol. Films, 403--404, 252 (2002)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарчук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37, 238 (2003)
  • L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Phys. Status Solidi C, 1, 925 (2004)
  • Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 189
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.