Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда в тонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe

Косяченко Л.А.¹, Mathew X.², Мотущук В.В.¹, Склярчук В.М.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

²Centro de Investigacion en Energia-UNAM, Temixco, Morelos, Mexico

Поступила в редакцию: 7 сентября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации-рекомбинации Саа-Нойса-Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.

R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci., 27, 625 (1997)
M.A. Green, K. Emery, D.L. King, S. Igari, W. Warta. Prog. Photovolt. Res., 11, 347 (2003)
A. Hanafusa, T. Aramoto, M. Tsuji, T. Yamamoto, T. Nishio, P. Veluchamy, H. Higuchi, S. Kumazawa, S. Shibutani, J. Nakajima, T. Arita, H. Ohyama, T. Hibino, K. Omura. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 67, 21 (2001)
A. De Vos, J.E. Parrot, P. Baruch, P.T. Landsberg. Proc. 12th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Amsterdam, 1994) p. 1315
N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, A. Romeo, V. Canevari. Sol. Mater. \& Solar Cells, 58, 209 (1999)
G. Agostinelli, D.L. Batzner, M. Burgelman. Thin Sol. Films, 431--432, 407 (2003)
C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
J. Fritsche, D. Kraft, A. Thissen, T. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Sol. Films, 403--404, 252 (2002)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарчук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37, 238 (2003)
L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Phys. Status Solidi C, 1, 925 (2004)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 189

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель