Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
6
Захаров Н.А.
Институт общей и неорганической химии РАН, Москва
5
Клюев В.А.
Институт общей и неорганической химии РАН
4
Кудрявцев А.А.
С.-Петербургский государственный университет
4
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Волков Н.Б.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет
4
Дубинов А.Е.
Российский Федеральный Ядерный Центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров Институт высоких температур РАН, Москва
4
Селемир В.Д.
Российский Федеральный Ядерный Центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров Институт высоких температур РАН, Москва
4
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Цендин Л.Д.
С.-Петербургский государственный технический университет
С.-Петербургский государственный университет
3
Петров А.Л.
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Самарский филиал
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
3
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Орловский В.П.
Институт общей и неорганической химии РАН
3
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, Киев, Украина Институт сильноточной электроники РАН, Томск, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ACREO AB, Electrum 236,SE Kista, Sweden KTH Electrum, Department of Electronics, Kista, Sweden
3
Месяц Г.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Новоселов Ю.Н.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Светухин В.В.
Ульяновский государственный университет
Московский государственный университет электронной техники
3
Амброзевич А.С.
Ульяновский государственный университет
Московский государственный университет электронной техники
3
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет
3
Богданов Е.А.
С.-Петербургский государственный университет
3
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
3
Гурин Н.Т.
Ульяновский государственный университет
3
Саидов А.С.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Шевера И.В.
Ужгородский национальный университет
3
Сидоров А.И.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
3
Маслов В.И.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Булярский С.В.
Ульяновский государственный университет Казанский физико-технический институт РАН
2
Моливер С.С.
Ульяновский государственный университет Казанский физико-технический институт РАН
2
Джабраилов Т.А.
Ульяновский государственный университет Казанский физико-технический институт РАН
2
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кицанов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Климов А.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Пегель И.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Полевин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Мелких А.В.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
2
Баренгольц С.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Шадрин Е.Б.
ВНЦ Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Ткаченко А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шульпина И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левин М.Н.
Воронежский государственный университет
2
Семенов В.Н.
Воронежский государственный университет
2
Барабан А.П.
С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
2
Милоглядова Л.В.
С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
2
Гурин В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Корсукова М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Логинов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фотиади А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Киян Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Денисов Г.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Ткаченко Р.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Шишковский И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (Самарский филиал)
2
Кулак Г.В.
Мозырский государственный педагогический институт, Беларусь
2
Границына Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алиев К.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Демидович В.М.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Демидович Г.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Козлов С.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Трофимов В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рыжов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кучеренко С.С.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
2
Пащенко В.П.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
2
Поляков П.И.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
2
Штаба В.А.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
2
Шимон Л.Л.
Ужгородский национальный университет
2
Дащенко А.И.
Ужгородский национальный университет
2
Матвеенцев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов В.В.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рахимова Т.В.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Золотовский И.О.
Ульяновский государственный университет
2
Яковлев В.И.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Безродный В.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Топоров Ю.П.
Институт общей и неорганической химии РАН
2
Тюрин Ю.Н.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, Киев, Украина Институт сильноточной электроники РАН, Томск, Россия
2
Ковалюк З.Д.
Черновицкое отделение института проблем материаловедения НАН Украины
2
Латуш Е.М.
Ростовский государственный университет
2
Мазурицкий М.И.
Ростовский государственный университет
2
Мазилова Т.И.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Михайловский И.М.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Хон Ю.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Данилов Ю.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет
2
Кузиков С.В.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет
2
Павельев В.Г.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет
2
Кошуринов Ю.И.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет
2
Скворцов А.А.
Ульяновский государственный университет
2
Орлов А.М.
Ульяновский государственный университет
2
Давыдов С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Попов И.Ю.
Институт точной механики и оптики (технический университет), С.-Петербург
2
Рукин С.Н.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Степанов А.Л.
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
Казанский физико-технический институт РАН
2
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гребенкина Л.В.
Advanced School of Applied Science, The Hebrew University of Jerusalem, Jerusalem,, Israel НИИМ и ПМ при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
2
Голованов А.С.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2
Созаев В.А.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Молевич Н.Е.
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С.П. Королева
2
Неганов В.А.
Поволжская государственная академия телекоммуникации и информатики, Самара
2
Голубев В.С.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
2
Мирзоев Ф.Х.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
2
Бугаев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Плотников В.А.
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2
Поляков В.В.
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Воляр А.В.
Таврийский национальный университет им. В.И. Вернадского
2
Фадеева Т.А.
Таврийский национальный университет им. В.И. Вернадского
2
Зубарева О.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Шляпин А.В.
Ульяновский государственный университет
2
Сабитов О.Ю.
Ульяновский государственный университет
2
Суворов В.Г.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2
Раззаков А.Ш.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Анищенко В.С.
Ланкастерский университет, физический факультет, Ланкастер, LA1 4YB, Великобритания Саратовский государственный университет
2
Красноголовец М.А.
НИК "Ускоритель" ННЦ "ХФТИ", Харьков
2
Матвеев В.И.
Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Архангельск
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Горелёнок А.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт электроники НАНБ, Минск
2
Каманин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт электроники НАНБ, Минск
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт электроники НАНБ, Минск
2
Тумаркин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Разумов С.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Рябушкин О.А.
НТО "ИРЭ-Полюс", Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение)
2
Киселев А.Н.
Нижегородский государственный технический университет
2
Мосина Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михеева О.П.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
2
Кохановский С.И.
Физико-техничеcкий институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Омаев А.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Васильева Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет Джона Гопкинса, Лаурел, Мэриленд, США
1
Алексашкин И.А.
Таврический национальный университет, Симферополь, Украина
1
Кучугурный Ю.П.
Институт транспортных систем и технологий ( Трансмаг) НАН Украины, Днепропетровск
1
Радайкин В.В.
Мордовский государственный университет, Саранск
1
Конин К.П.
Институт химии поверхности НАН Украины, Киев
1
Кутузова О.А.
Институт физической химии РАН, Москва
1
Ноздрин Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кириков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск Томский политехнический университет
1
Черкашин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Завольский Н.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Наумов А.В.
Воронежский государственный университет
1
Вебер Х.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Атомный институт австрийских университетов, Вена Институт физики твердого тела, Латвийский университет, Рига
1
Хумер К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Атомный институт австрийских университетов, Вена Институт физики твердого тела, Латвийский университет, Рига
1
Новиков С.Г.
Ульяновский государственный университет
1
Жигалов В.С.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
1
Сидоренко А.Г.
Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета
1
Филоненко А.Д.
Восточноукраинский государственный университет, Луганск
1
Караваев А.С.
Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН
1
Митцев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Брухтий В.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
1
Железина Н.В.
Нижегородский государственный университет
1
Шабунин А.В.
Саратовский государственный университет
1
Боднарь О.Б.
Московская государственная академия приборостроения и информатики
1
Зудов В.Н.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
1
Мироненко И.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Черных Е.В.
Алтайский государственный технический университет, Барнаул
1
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
1
Мкртчян А.Р.
Институт прикладных проблем физики НАН Армении, Ереван
1
Беломытцев С.Я.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Михайлов В.И.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
1
Брызгунов К.В.
Московский инженерно-физический институт
1
Дианов Е.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Н. Новгород Научный центр волоконной оптики при ИОФ РАН, Москва
1
Шевяхов Н.С.
Ульяновское отделение Института радиотехники и электроники РАН
1
Салов В.В.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
1
Константинов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ACREO AB, Electrum 236,SE Kista, Sweden KTH Electrum, Department of Electronics, Kista, Sweden
1
Hallen A.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ACREO AB, Electrum 236,SE Kista, Sweden KTH Electrum, Department of Electronics, Kista, Sweden
1
Уголков В.Л.
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург
1
Петров С.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный технический университет
1
Красиков Н.Н.
Ковровская государственная технологическая академия
1
Канчукоев В.З.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
1
Кашежев А.З.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
1
Юхимчук В.А.
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина Белорусский государственный университет Минск, Республика Беларусь
1
Харьковский С.Н.
Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков, Украина
1
Чувыров А.Н.
Башкирский государственный университет, Уфа
1
Волколупов Ю.Я.
НИК "Ускоритель" ННЦ "ХФТИ", Харьков
1
Воробьев Ю.В.
С.-Петербургский институт информатики и автоматизации РАН
1
Тригуб В.И.
Нижегородский государственный технический университет
1
Гельтенборт П.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
НИИ "Домен", С.-Петербург
Institut Max von Laue --- Paul Langevin, Grenoble, France
НИИЭФА им. Д.В. Ефремова, С.-Петербург
1
Коврижных Н.А.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
НИИ "Домен", С.-Петербург
Institut Max von Laue --- Paul Langevin, Grenoble, France
НИИЭФА им. Д.В. Ефремова, С.-Петербург
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук