Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
7
Лучинин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург ПИЯФ им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина, Ленингр. обл. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
5
Сиббет В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Куликов Д.В.
Технологический университет Эйндховена, МВ Эйндховен, Нидерланды
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Савенко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Трушин Ю.В.
Технологический университет Эйндховена, МВ Эйндховен, Нидерланды
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Золотовская С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кузьменков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лосев С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Петрунин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нащекин А.В.
Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Завершинский И.П.
Самарский филиал Физического института им. П.Н. Лебедева РАН
3
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Климов А.И.
Самарский филиал Физического института им. П.Н. Лебедева РАН
3
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Молевич Н.Е.
Самарский филиал Физического института им. П.Н. Лебедева РАН
3
Порфирьев Д.П.
Самарский филиал Физического института им. П.Н. Лебедева РАН
3
Бугрова А.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Москва
3
Десятсков А.В.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Москва
3
Ушаков Н.М.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
3
Битюрин В.А.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Харчевников В.К.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Москва
3
Кособудский И.Д.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
3
Соболев В.С.
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
3
Исаев В.А.
ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино
3
Солоненко О.П.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
3
Гуляев И.П.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
3
Совестнов А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск ФГУП Центральный научно-исследовательский институт машиностроения, Королев
3
Козырев А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
3
Тюнис А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фомин Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Санников Д.Г.
Ульяновский государственный университет
2
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук