"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12731
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
164

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Кинетические характеристики широкополосной люминесценции германосиликатных волоконных светодиодов
13
Пленки феррит-граната состава (Bi,Gd,Eu)3(Fe,Ga)3O12 с повышенной термостабильностью динамических параметров
12
Возбуждение гиперзвука с помощью неоднородной по толщине пленки железо-иттриевого граната
12
Бистабильность многослойной структуры в условиях магнитного резонанса на миллиметровых волнах
12
Времяпролетный вариант метода усиленного рассеяния электромагнитных волн в плазме
11
О возможности получения p-n переходов на CdTe, легированном индием
11
Исследование влияния электрического поля на энергетический спектр и характер локализации электронов в бесконечно глубокой яме (в рамках модели Кронинга-Пенни)
11
Туннельный ток в гетероструктурах из многодолинных полупроводников
11
Синтез высокотемпературных сверхпроводящих материалов окислением сплавов состава 1--2--3
11
Ионная эмиссия под действием лазерного излучения длительностью десятки микросекунд
11
О поведении RSOS моделей в двумерном случае
10
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
10
Одновременная мессбауэровская спектроскопия с геристрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
10
Электролюминесцентная ячейка на пористом кремнии
10
Гидродинамика ударно-кластерного синтеза
10
Светоуправляемые оптические коммутационные приборы на высокоомных полупроводниковых структурах
10
Экспериментальное определение констант C6 и C12 потенциала взаимодействия Леннарда-Джонса (6-12)
10
Распределенный интерферометрический волоконно-оптический датчик
10
Радиационные центры окраски в нелинейных кристаллах LiB 3O 5
10
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
10
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
1251
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
1178
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
1171
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
1124
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
1121
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
1120
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
1105
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
1100
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
1098
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
1088
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
1080
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
1075
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
1072
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
1070
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
1066
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
1060
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
1053
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
1047
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
1045
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
1045
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
1042
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
1041
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
1038
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
1037
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
1032
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
1030
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
1023
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
1022
Оптические и электрические свойства кожи человека
1021
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
1020
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
1018
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
1017
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
1016
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
1016
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
1014
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
1014
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
1013
Выгорание линий в спектрах катодолюминесценции карбида кремния и природного алмаза при высоких уровнях возбуждения
1010
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
1010
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
1010
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
1009
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
1008
Об аналогии между силой Миллера и высокочастотной диффузией
1008
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
1007
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
1007
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
1003
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
1001
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
1000
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
997
Новый метод лазерной резки прозрачных диэлектриков
996
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Котляр В.В.
Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Кузнецов А.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme