"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12212
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
331

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Образование структур и концентрационная конвекция при изотермической диффузии трехкомпонентных газовых смесей через переменное число каналов равной площади
12
Ядерная спин-решеточная релаксация в условиях магнитного насыщения линии ЯМР
11
Исследование процессов расслаивания в растворах-расплавах Ga--Bi
11
Высокоэффективный солнечный элемент на основе InP/In0.53Ga0.47As для каскадных фотопреобразователей
11
Синхронизация радиоинтерферометра пикосекундными оптическими солитонами с высокой частотой повторения
10
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
10
Квазимолекулярная автоионизация при столкновениях He+-He, H2
10
Характеристики незавершенного скользящего заряда в воздухе при P= 10 5 Па
10
Влияние влажности и гранулометрического состава на ударную сжимаемость песка
9
Перераспределение алюминия в GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структурах (КРС) под действием протонного облучения
9
Ионный аналог эффекта Дембера в галогенидах серебра
9
Пропускание сверхкоротких импульсов тонким слоем вещества с нелинейной нерезонансной поляризуемостью
9
Особенности спектральных и нагрузочных характеристик p-i-n преобразователей энергии beta-излучения на основе a-Si:H
9
О возможностях увеличения интенсивности эмиссии нейтронов в кристаллах KO2PO4 при фазовом переходе через точку Кюри
9
О туннельном механизме инжекции и токопереноса в p+DiDn+ светоизлучающих структурах на основе аморфных гидрогенизированных сплавов
9
Формула для температуры поверхности проводника, нагреваемого ступенчатым импульсом тока
9
Микроплазмы в эпитаксиальных GaP p-n-структурах, выращенных на Si подложках
9
Оптические и электрические свойства кожи человека
9
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
9
Резонансное отражение СВЧ излучения от магнитной жидкости
9
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
884
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
859
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
819
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
809
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
791
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
780
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
772
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
758
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
757
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
755
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
751
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
741
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
741
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
738
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
734
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
733
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
731
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
730
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
729
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
722
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
721
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
721
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
718
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
717
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
713
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
713
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
713
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
713
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
710
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
708
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
708
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
704
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
701
О кинетике глубоко-неупругого процесса взаимодействия тяжелых ионов
698
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
697
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
696
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
696
Эффект естественного фракционирования оседающего дымного аэрозоля
695
Определение энерговклада в газовую среду
695
Новый метод лазерной резки прозрачных диэлектриков
694
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
692
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
692
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
691
Эффекты граничной частоты и скин-слоя при распространении волны девиатора напряжений в кристаллической среде с дислокациями
690
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
690
Поляриметрические свойства p-n-структур из фосфида галлия
690
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
689
Изменение частот нелинейных волн в движущейся среде
689
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
687
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
687
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Гладышев В.О.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Тарасов И.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики Уро РАН Екатеринбург
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики СО РАН Новосибирск
1
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова.
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1
Минский радиотехнический институт, Белорусский государственный университет
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme