"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12513
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
274

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Акустооптические явления в фотографических кристаллах
16
О фазовых превращениях в сталях при быстром нагреве
16
О туннельном механизме инжекции и токопереноса в p+DiDn+ светоизлучающих структурах на основе аморфных гидрогенизированных сплавов
15
Об аномально глубоких структурных изменениях в имплантированных полупроводниках
15
Голубые SiC-6H светодиоды, изготовленные сублимационным методом
15
О структуре реальных периодических движений заряженной поверхности вязкой жидкости
15
Экспериментальное наблюдение перехода металл-сверхпроводник в пленках CxCuy при азотной температуре
14
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
14
Положительный эффект Холла в модели свободных электронов
14
Излучательная рекомбинация двумерных дырок и неравновесных электронов на [111] поверхности кремния
14
Оптическая ударная ионизация в халькогенидном стекле TlAsSe2 в УФ области спектра
14
Возбуждение волн комбинационных частот с компонентами допплеровского смещения
14
Влияние внедренного объемного заряда на формирование разрядной структуры в диэлектриках
14
Влияние внутренних упругих напряжений на диффузию и распределение никеля в кремнии
14
О некоторых закономерностях распада незаряженной капли в сильном электростатическом поле
14
Влияние влажности и гранулометрического состава на ударную сжимаемость песка
14
Уточнение модели распространения продольных волн деформации в нелинейно-упругом стержне
14
Оптические и электрические свойства кожи человека
13
Эффекты граничной частоты и скин-слоя при распространении волны девиатора напряжений в кристаллической среде с дислокациями
13
Влияние пространственного заряда на динамику потока частиц II
13
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
1085
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
1026
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
1014
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
966
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
961
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
957
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
953
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
942
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
939
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
934
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
921
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
918
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
912
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
910
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
909
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
908
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
905
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
904
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
904
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
892
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
892
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
886
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
885
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
884
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
882
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
882
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
879
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
877
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
877
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
876
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
868
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
868
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
867
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
866
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
864
Оптические и электрические свойства кожи человека
863
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
862
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
861
Выгорание линий в спектрах катодолюминесценции карбида кремния и природного алмаза при высоких уровнях возбуждения
860
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
860
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
859
О кинетике глубоко-неупругого процесса взаимодействия тяжелых ионов
858
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
858
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
858
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
857
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
855
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
853
Об аналогии между силой Миллера и высокочастотной диффузией
853
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
851
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
849
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Гладышев В.О.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Тарасов И.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Яценко Н.А.
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme