"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12580
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
13

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
17
Экзотермическая коагуляция малых кластеров во фронте детонационной волны
15
Роль водородных связей в процессах катализа, протекающих на поверхности некоторых неметаллических кристаллов
15
Микрофокусная рентгеновская трубка с встроенным волноводным коллиматором
14
Особенности гетеродиффузии и свойства пленок германия на арсениде галлия, полученных эпитаксией из молекулярных пучков
14
Положительный эффект Холла в модели свободных электронов
14
Исследование зонной структуры полупроводниковых твердых растворов GaPxAs1-x фотоэлектрическим методом
14
Полупроводниковый генератор двоичных слов, образованных пикосекундными оптическими импульсами
14
Фотохромизм в тонких пленках RbAg4I5
13
Инициируемая введением водорода деформация аморфных сплавов
13
Экспериментальное наблюдение перехода металл-сверхпроводник в пленках CxCuy при азотной температуре
13
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
13
К вопросу об эффективности образования вакансионных центров в n--Si при облучении alpha-частицами
13
Туннельный ток в гетероструктурах из многодолинных полупроводников
13
Тонкая структура спектров полного тока монокристаллов никеля и меди
13
Полное антизеркальное отражение от гофрированной границы диэлектриков. Kвазиоптические диэлектрические эшелеттные резонаторы
13
Об энергетическом балансе сильноточного импульсного разряда
12
Критические условия неустойчивости заряженной капли в слабопроводящей среде во внешнем электростатическом поле
12
Электрооптические постоянные монокристаллов титаната висмута, легированных ванадием
12
Интенсификация окисления SO 2 в ионизованном воздухе
12
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
1141
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
1072
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
1064
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
1017
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
1014
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
1010
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
1002
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
990
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
983
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
978
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
970
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
965
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
958
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
956
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
955
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
955
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
946
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
945
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
944
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
939
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
934
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
934
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
933
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
933
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
929
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
924
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
924
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
924
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
919
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
918
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
918
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
914
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
914
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
913
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
913
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
912
Оптические и электрические свойства кожи человека
912
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
910
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
909
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
907
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
905
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
905
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
904
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
904
Выгорание линий в спектрах катодолюминесценции карбида кремния и природного алмаза при высоких уровнях возбуждения
903
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
901
О кинетике глубоко-неупругого процесса взаимодействия тяжелых ионов
900
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
899
Об аналогии между силой Миллера и высокочастотной диффузией
898
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
898
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Алексеев А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Огурцов Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гладышев В.О.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Тарасов И.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яценко Н.А.
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Кузнецов А.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Бекренев А.Н.
Самарский государственный технический университет
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов В.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Камашев А.В.
Самарский государственный технический университет
2
Портной Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme