"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12457
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
218

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Массоперенос в металлах при короткоимпульсном лазерном воздействии
14
Новый метод лазерной резки прозрачных диэлектриков
14
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
14
Об особенностях хаотической динамики двух симметричных автоколебательных систем (неавтономный осциллятор Дуффинга и автогенератор с запаздывающей обратной связью)
14
Электролюминесцентные структуры с изменением цвета свечения
13
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
13
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
12
Бистабильность многослойной структуры в условиях магнитного резонанса на миллиметровых волнах
12
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
12
Поверхностно-барьерные Au-n-GaP структуры на Si подложках: получение и электрические свойства
12
5mm Эффекты упорядочения и кластерирования в эпитаксиальных слоях In 0.53Ga 0.47As. Влияние примеси железа
12
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
11
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
11
О некоторых закономерностях распада незаряженной капли в сильном электростатическом поле
11
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
11
О разрешении квазиконического энергоанализатора
11
Спектроскопическая диагностика импульсной дуги высокого давления
11
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
11
Изобарический газовый режим мощного электронного источника на основе разряда в магнитном поле
11
Температурное гашение фотолюминесценции пористого кремния
11
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
1039
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
983
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
969
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
929
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
919
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
914
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
905
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
905
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
899
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
891
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
886
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
875
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
875
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
872
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
871
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
869
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
867
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
862
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
861
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
848
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
848
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
846
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
844
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
843
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
842
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
840
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
839
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
839
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
838
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
834
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
830
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
829
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
826
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
826
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
824
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
824
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
821
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
820
О кинетике глубоко-неупругого процесса взаимодействия тяжелых ионов
820
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
820
Об аналогии между силой Миллера и высокочастотной диффузией
819
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
818
Выгорание линий в спектрах катодолюминесценции карбида кремния и природного алмаза при высоких уровнях возбуждения
818
Оптические и электрические свойства кожи человека
817
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
817
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
814
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
814
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
813
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
813
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
812
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Алексеев А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Огурцов Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гладышев В.О.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Тарасов И.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Яценко Н.А.
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme