"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12663
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
96

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Вакуумная откачка и разделение газов поверхностной акустической волной
13
Эквивалентная электрическая схема тонкопленочных электролюминесцентных излучателей
12
Электролюминесценция в видимой области спектра в кремниевых композитных наноструктурах
11
Тонкая антенна с плазменной нагрузкой
11
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
10
О разрешении квазиконического энергоанализатора
10
Об аномально глубоких структурных изменениях в имплантированных полупроводниках
10
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
10
Поляризационная зависимость сигнала в нелинейной модуляционной спектроскопии
10
Модель термодинамических аномалий в ассоциированной жидкости
10
Влияние импульсного магнитного поля на фазовый синхронизм упругих и магнитостатических волн в структурах ЖИГ--ГГГ
10
Новая конструкция биполярных приборов с полным управлением
10
Частотные характеристики ВЧ емкостных разрядов, используемых для накачки газовых лазеров
10
Влияние алюминия на кристаллическую структуру и сверхпроводимость монокристалла EuBa 2Cu 2.62 Al 0.38O 6.8
10
Эффективность излучательной рекомбинации в светодиодах с гетеропереходом N--GaSb/n--GaInAsSb
10
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
10
Гелиевый дифференциальный изотопный метод измерения химических сдвигов периода полураспада трития
9
Оптический пробой прозрачной жидкости, зависимость от материальных параметров
9
Пространственная синхронизация изучения широких ленточных электронных потоков в ЛСЭ с двумерной распределенной обратной связью
9
Исследование поверхностной неоднородности деформации в эпитаксиальной структуре In1-xGaxP/(111)GaAs
9
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
1193
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
1124
Разогрев в гетероструктурах на основе GaInAsSb
1111
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
1070
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
1066
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
1060
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
1049
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
1039
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
1032
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
1030
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
1024
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
1017
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
1014
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
1010
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
1003
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
1001
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
994
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
993
Эмиссия крупных гетероядерных кластерных ионов при распылении графита ионами цезия
993
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
993
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
990
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
985
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
982
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
980
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
980
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
979
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
975
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
970
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
969
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
969
Оптические и электрические свойства кожи человека
968
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
966
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
966
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
964
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
964
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
961
Применение электромагнитных экранов для снижения тепловых и динамических нагрузок в рельсотронном ускорителе твердых тел
959
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
958
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
957
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
956
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
956
Об аналогии между силой Миллера и высокочастотной диффузией
956
Провалы порога возбуждения реологического взрыва в низкочастотном электрическом поле
955
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
953
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
953
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
952
Выгорание линий в спектрах катодолюминесценции карбида кремния и природного алмаза при высоких уровнях возбуждения
950
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
949
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
944
О кинетике глубоко-неупругого процесса взаимодействия тяжелых ионов
944
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Котляр В.В.
Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Кузнецов А.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme