Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Алексеев А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Огурцов Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гладышев В.О.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Тарасов И.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яценко Н.А.
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Котляр В.В.
Институт систем обработки изображений РАН, Самара
2
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук