"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12171
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
290

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Развитие аннигиляции вследствие процессов распыления
10
Модуляция добротности в ДГС лазерах с многомодовым активным слоем
9
Механизм образования остаточных напряжений в электролитических покрытиях
9
Снижение порога генерации ВРМБ в жидкости с рассеивающими включениями
9
Электролюминесцентные структуры с изменением цвета свечения
9
Фотохромизм в тонких пленках RbAg4I5
9
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
9
Перспективы применения лазеров на свободных электронах с модулированной инжекцией электронного пучка для возбуждения, диссоциации и ионизации неэквидистантных многоуровневых молекулярных систем
9
Влияние режимов теплообмена в жидком охладителе на тепловую устойчивость сверхпроводящего состояния и динамику волн переключения в тонких ВТСП пленках
8
Псевдоформ --- оптический элемент, формирующий псевдоскопическое изображение
8
Изменение частот нелинейных волн в движущейся среде
8
Линейный Er3+ волоконный лазер с пассивной синхронизацией мод на основе самовращения эллипса поляризации
8
Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур
8
Влияние греющего СВЧ поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода
8
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
8
Удаление окислов серы в несамостоятельном объемном разряде
8
К проблеме согласования электрически-малой сверхпроводниковой антенны
8
Гетероэпитаксиальные GaAs p-n-структуры на Si подложках, полученные газофазной эпитаксией в открытой хлоридной системе
8
Влияние пространственного заряда на динамику сгустка частиц
8
Магнитооптическая визуализация дефектов в магнитомягких материалах
8
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
851
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
836
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
779
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
775
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
749
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
747
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
745
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
733
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
733
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
730
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
726
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
715
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
714
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
707
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
707
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
706
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
706
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
704
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
703
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
698
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
696
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
695
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
691
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
691
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
691
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
691
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
689
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
688
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
686
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
685
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
685
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
682
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
675
Эффект естественного фракционирования оседающего дымного аэрозоля
673
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
672
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
671
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
670
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
670
Новый метод лазерной резки прозрачных диэлектриков
670
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
670
Поляриметрические свойства p-n-структур из фосфида галлия
670
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
668
Эффекты граничной частоты и скин-слоя при распространении волны девиатора напряжений в кристаллической среде с дислокациями
667
Определение энерговклада в газовую среду
667
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
666
Обращение к авторам нашего журнала
665
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
664
Лазерное напыление биологически совместимых покрытий
663
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
662
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
662
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Кузнецов А.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Бекренев А.Н.
Самарский государственный технический университет
2
Котляр В.В.
Институт систем обработки изображений РАН, Самара
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Иванов В.Ю.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Камашев А.В.
Самарский государственный технический университет
2
Портной Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Маслов В.А.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
2
Алексеев А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Огурцов Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики Уро РАН Екатеринбург
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики СО РАН Новосибирск
1
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова.
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1
Минский радиотехнический институт, Белорусский государственный университет
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme