"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12086
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
205

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Выявление структурных мод деформации нематиками
31
Нитевидная кристаллизация в окиси серебра
31
Лазерное напыление биологически совместимых покрытий
29
Объемный характер упрочнения мартенсита под действием мегавольтного сильноточного электронного пучка
27
Об особенностях использования газодинамического метода напыления в пленочной технологии YBa 2Cu 3O 7-delta
26
Явление стратификации когерентного излучения, дифрагировавшего на краю металлического экрана
26
Динамическая визуализация магнитной записи
26
Триггерные автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
26
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
26
О сверхзвуковом распространении фронтов мартенситных превращений, инициированных ударным нагружением
26
Синхронизация радиоинтерферометра пикосекундными оптическими солитонами с высокой частотой повторения
25
О возможности использования стеклянно-капиллярных концентраторов мягкого рентгеновского излучения в исследованиях высокотемпературной плазмы
25
Множественный квазипериодический откол NaCl при пульсирующей и знакопеременной ударных нагрузках субмикросекундной длительности
25
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
25
О возможности исследования локального энергетического спектра тонких полупроводниковых пленок с помощью новой конструкции низкотемпературного сканирующего туннельного микроскопа
25
Влияние импульсного магнитного поля на фазовый синхронизм упругих и магнитостатических волн в структурах ЖИГ--ГГГ
24
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
24
Наблюдение динамики развития электрогидродинамической неустойчивости на поверхности жидкометаллического катода
24
Исследование инерционности жидкометаллического катода
24
Исследование зонной структуры полупроводниковых твердых растворов GaPxAs1-x фотоэлектрическим методом
23
Статья
Просмотров
Аномальные волновые и газодинамические свойства долгоживущих энергоемких плазмоидов
786
Измерение больших скоростей тел малых геометрических размеров
774
Аномальные концентрационные зависимости предела текучести легированных кристаллов NaCl
731
Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
724
Запись и воспроизведение трехмерных сфокусированных изображений с использованием псевдоглубокой голограммы и протяженного референтного источника излучения
695
Решение нестационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях
693
Низкочастотный оптический резонанс в многолучевом интерферометре Фабри--Перо
692
Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом
689
Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния для кремниевых фотоэлектрических приборов
678
Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния
676
Отражающие свойства аморфных материалов в условиях ПВО
675
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света слоев InGaAsP/InP
672
Термогенный перколяционный переход в электропроводящих гетерофазных системах и криогенный датчик температуры на его основе
671
Фазовый переход при T= 250-260 K в порошкообразном C 60 (температура, энтальпия и энтропия перехода)
661
Описывает ли магнитная гидродинамика медленные неадиабатические поперечные движения горячей замагниченной плазмы?
661
Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости нитрида бора в СВЧ диапазоне
661
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных GaP p-n-структур на Si подложках
657
Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки CoSi2, выращенной на поверхности флюорита
656
Тензорные свойства самодефокусировки лазерных пучков в CdS области края поглощения
646
Поляризационное переключение в InGaAsP/InP РОС-лазеры с напряженным активным слоем
643
О возможности создания релаксационных квантовых приборов
642
Изменение структуры странного аттрактора при полосовой фильтрации хаотических колебаний
642
Фотовоздействие на молекулы LiCl, адсорбированные на Ir(111)
642
Определение состава смемей трансурановых нуклидов по спектрам alpha-распада с помощью прецизионных Si детекторов
642
Варизонные Au-GaPxAs1-x структуры и возможности их применения в фотоприемниках ультрафиолетового диапазона
641
Ускоренное образование термодоноров в кристаллах Si < O>, насыщенных водородом
639
Кинетика образования компактных квантовых кластеров в стохастических консервативных системах
639
Лазерные диоды на основе твердого раствора GaInAsSb, работающие в одномодовом режиме на длине волны lambda~= 1.81 мкм при комнатной температуре
639
О радиационном охлаждении плазмы сильноточного импульсного разряда
639
Особенности влияния электрического поля на сверхрешетки, составленные из разного числа периодов
638
Автоматизированная система для мессбауэровской спектроскопии с одновременной регистрацией гамма-квантов, рентгеновского характеристического излучения и селектированных по энергиям вторичных электронов
637
Особенности взаимодействия кумулятивной струи с полимерными композитами
635
О представлении ХГС в виде неорганических полимеров и возможности расчета образующихся в них избыточных гомосвязей
633
К механизму эрозии электродов сильноточной дуги
628
Эффект естественного фракционирования оседающего дымного аэрозоля
628
Высоковольтный вертикальный полевой фототранзистор на основе GaAs
624
Кинетика поглощения атомов калия и рубидия парафиновым покрытием ячейки квантового магнитометра
623
Новый метод лазерной резки прозрачных диэлектриков
622
Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2
622
Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока сверхпроводника
621
Аномальное температурное поведение ширины запрещенной зоны в кристалле по данным двухфотонных спектров поглощения
621
Определение энерговклада в газовую среду
620
Поляриметрические свойства p-n-структур из фосфида галлия
619
Эффекты граничной частоты и скин-слоя при распространении волны девиатора напряжений в кристаллической среде с дислокациями
618
Сверхпроводящий переключатель тока на основе автоэлектронной эмиссии
617
Изменение параметров вакуумной дуги при наличии газа в разрядном промежутке
616
Обращение к авторам нашего журнала
616
Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью
616
Универсальная математическая модель скин-эффекта в системах длинных параллельных проводников произвольного сечения для произвольного режима пропускания тока
615
Дифференциальный фазовый гетеродинный микроскоп с использованием интегрально-оптического модулятора
614
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Приходько А.В.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Мастеров В.Ф.
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гаврилюк А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронов А.М.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Горячев В.Л.
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
3
Картужанский А.Л.
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Фзико-технический институт АН Туркменистана, Ашгабат
3
Дашук П.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Шалфеев В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Крупышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Институт общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Чистов Е.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Розенбаум Л.Б.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев Г.С.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Белецкий А.И.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Калинин А.Л.
Российский институт мощного радиостроения, Санкт-Петербург
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бушуев В.А.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Мальцев Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
2
Ляхов Г.А.
Институт общей физики РАН Москва
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
2
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
2
Котляр В.В.
Институт систем обработки изображений РАН, Самара
2
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ганчеренок И.И.
Белорусский государственный университет Минск
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Огородников И.Н.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Гайсенок В.А.
Белорусский государственный университет Минск
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
2
Беришев И.Э.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Санкт-Петербургский государственный технический университет
7
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
6
Институт общей физики РАН Москва
5
Ярославский государственный университет
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Московский инженерно-физический институт
3
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт физики полупроводников АН Литвы Вильнюс
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт физики АН Беларуси Минск
2
Институт проблем электрофизики РАН Санкт-Петербург
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Санкт-Петербургский торгово-экономический институт
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва, Россия
1
Институт автоматики и процессов уравления с вычислительным центром ДВНЦ РАН Владивосток
1
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
1
С.-Петербургский технический университет
1
Санкт-Петербургский государственный университет
1
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
1
Институт теплофизики Уро РАН Екатеринбург
1
Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам Троицк
1
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вильнюсский университет
1
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
1
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
1
Институт физической химии РАН Москва
1
Тувинский комплексный отдел СО РАН, Кызыл
1
Институт кибернетики АН Республики Грузии Тбилиси
1
Институт теплофизики СО РАН Новосибирск
1
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова.
1
Институт физики им. Х.И.Амирханова ДагНЦ РАН Махачкала
1
Институт прикладной механики УрО РАН Ижевск
1
Московский радиотехнический институт
1
Институт электронной физики АН Украины, Ужгород Институт прикладной химии, С.-Петербург
1
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем электрофизики РАН, С. - Петербург
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Институт электронной технологии Вроцлав, Польша
1
Минский радиотехнический институт, Белорусский государственный университет
1
Акустический институт им. Н.Н.Андреева Москва
1
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
1
Белорусский государственный университет Минск
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme