Резниченко Л.А.
Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону
9
Корнич Г.В.
Запорожский технический госуниверситет, Украина
7
Бетц Г.
Запорожский технический госуниверситет, Украина
7
Бажин А.И.
Запорожский технический госуниверситет, Украина
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Applied Optoelectronics Inc. 242 Kingfisher Dr. Sugar Land, TX
5
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
5
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
5
Разумовская О.Н.
Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета
5
Шилкина Л.А.
Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Россия
5
Каманина Н.В.
Государственное унитарное предприятие ВНЦ "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Department of Physics, UPR-RUM, Mayaguez, Puerto-Rico,, USA
4
Котов О.И.
С.-Петербургский государственный технический университет
4
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
4
Лиокумович Л.Б.
С.-Петербургский государственный технический университет
4
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Марков С.И.
С.-Петербургский государственный технический университет
4
Медведев А.В.
С.-Петербургский государственный технический университет
4
Николаев В.М.
С.-Петербургский государственный технический университет
4
Гюнтер В.Э.
НИИ медицинских материалов и имплантантов с памятью формы при Сибирском физико-механическом институте им. В.Д. Кузнецова, Томск
4
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Проскуровский Д.И.
ГНПП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Фролов С.В.
С.-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет)
4
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
4
Раевский И.П.
Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону
4
Голикова Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Косарева Л.И.
С.-Петербургский государственный технический университет
3
Цуцких А.Ю.
Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ)
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет
3
Малицкая М.А.
Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону
3
Красильников А.В.
Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ)
3
Капорский Л.Н.
Государственное унитарное предприятие ВНЦ "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Department of Physics, UPR-RUM, Mayaguez, Puerto-Rico,, USA
3
Курешов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
3
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
3
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр --- ВНИИ экспериментальной физики, Саров
3
Двинских В.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Чирков А.Г.
С.-Петербургский государственный технический университет
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кагадей В.А.
ГНПП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Рябоштан Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шахшаев Ш.О.
Институт физики Дагестанского НЦ РАН, Махачкала
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лашкул С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный технический университет
3
Суворов А.Л.
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н. Флерова, Дубна ГНЦ РФ Институт экспериментальной и теоретической физики, Москва
3
Костишко Б.М.
Ульяновский государственный университет
3
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук