"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12580
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
13

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Расчет нестационарной теплопроводности при малых числах Фурье (Fo<0.001)
17
Генерация лазерного излучения в субмонослойных структурах CdSe в матрице ZnSe без внешнего оптического ограничения
16
Акустооптический процессор радиосигналов с дискретной частотной модуляцией
15
Ультрафиолетовый HeCd лазер с накачкой высокочастотным электронным пучком
14
О магнитной чувствительности протеина
13
Физическая модель влияния надразмерных примесей на радиационное упрочнение alpha-сплавов железа
13
Пристеночные явления в режимах улучшенного удержания на токамаке ФТ-2
13
Наблюдение отрицательной характеристичеcкой температуры порогового тока диодных лазеров для спектральной области 2.8 mum
13
Эффективные правила комбинирования межатомных потенциалов взаимодействия и сил
13
Структура спектров короткоживущего поглощения и свечения фторидов бария и кальция при импульсном облучении электронами
13
Неограниченное возрастание размерности хаотических аттракторов при линейной фильтрации
13
О применимости формулы Стони для расчета механических напряжений в толстых пленках и покрытиях
13
Кремниевые металл--диэлектрик--полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия
12
Отрицательное смещение ограниченных пучков изгибных волн в тонких пластинах
12
Двухсекционный InGaAsP/InP Фабри-Перо лазер с 12 нм диапазоном перестройки длины волны
12
Исследование деформации молекул алканов на поверхности металла при повышенной температуре методом ИК-спектроскопии
12
Управление морфологией пористого кремния n-типа
12
Преимущество джозефсоновских мостиков при использовании в синхронизованных цепочках для стандарта напряжения
12
Интегральный детектор ионизирующих излучений на основе гетероперехода сульфид-теллурид кадмия
12
Исследование спонтанного и когерентного излучения в диапазоне длин волн 3/ 4 mum в лазерной структуре на основе InGaAsSb/AlGaSbAs
12
Статья
Просмотров
О применимости формулы Стони для расчета механических напряжений в толстых пленках и покрытиях
1872
Преобразование фазовой модуляции света в модуляцию интенсивности с помощью внешнего волоконно-оптического интерферометра
1812
Наблюдение крупномасштабных гидродинамических структур в вихревой трубке и эффект Ранка
1790
Использование интерферометра Саньяка для измерения эффекта линейного невзаимного двулучепреломления в поперечном магнитном поле
1604
Сверхпроводниковый быстродействующий детектор на основе индуктивного неравновесного отклика пленки нитрида ниобия
1450
Кремниевые металл--диэлектрик--полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия
1420
Расчет нестационарной теплопроводности при малых числах Фурье (Fo<0.001)
1418
Акустооптический процессор радиосигналов с дискретной частотной модуляцией
1401
Термоэлектрические элементы на основе соединений кремния с переходными металлами
1378
Функциональные композиционные материалы "биокерамика--никелид титана" для медицины
1375
Нитевидные кристаллы оксида цинка
1359
Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии
1356
Интерферометрия белого света с деполяризацией излучения
1329
Угловой момент импульса полей маломодового волокна: III. Оптический эффект Магнуса, фаза Берри и топологическое двулучепреломление
1327
Искривление канала лазерного разрушения, обусловленное поляризацией излучения
1325
Обращение волнового фронта при четырехволновом смешении непрерывного излучения в условиях сильного самовоздействия
1308
О механизме эрозии электродов при импульсных разрядах в воде с энергией в импульсе ~1 Дж
1305
Лазерные диоды с рабочей выходной оптической мощностью 3 Вт (lambda=0.81 мкм) на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур, работающие в непрерывном режиме со сроком службы 2000 часов
1304
Аналитическая модель для снижения потенциалов ионизации атомов и ионов в неидеальной плазме
1300
Пространственно-временной хаос в процессе образования твердотельного состояния
1299
Некоторые физические свойства композита Al2O3--SiC--TiC
1287
Аморфные пленки кремния и германия для неохлаждаемых микроболометров
1284
Граница качества, аномальность и структурный переход
1263
Влияние фуллерена C60 на изнашивание металлов при фреттинге
1261
Ультрафиолетовый HeCd лазер с накачкой высокочастотным электронным пучком
1254
Избыточный шум Er/Yb-волоконного суперфлуоресцентного источника излучения
1254
Влияние C60 на термостойкость привитого к нему полиэтиленгликоля
1253
Преобразование тепла в работу с помощью термически неоднородных систем (исправление)
1236
Об особенностях течений низкотемпературной газоразрядной плазмы
1228
Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком
1214
Об ослаблении рентгеновского излучения ультрадисперсными средами
1213
О магнитной чувствительности протеина
1205
Толстослойный глицеринсодержащий бихромированный желатин для записи объемных голограмм
1202
Волноводные свойства оптических структур, полученных окислением пористого кремния
1202
Магнитный гистерезис и диссипативные потери в сверхпроводящих пленках
1200
Пластичность алмаза при комнатной температуре и определение его твердости в атомно-силовом микроскопе наконечником из ультратвердого фуллерита C60
1186
Материалы со смешанной проводимостью в системе HfO2-YO1.5-PrO1.5
1184
Формирование сотовой доменной структуры в магнитных пленках
1183
Рентгеновский контроль заполнения кластерных решеток на основе синтетических опалов
1183
Зависимость параметров эмпирической модели поверхностного сопротивления пленки высокотемпературного сверхпроводника от параметров технологического процесса
1176
Исследование преобразования ИК излучения в видимый диапазон спектра в стекле ZBLAN с трехкомпонентным легированием редкоземельными элементами
1165
Автоколебания в системе волоконный лазер--коллиматор---микрорезонатор
1162
Фрикционные автоколебания, обусловленные деформированием шероховатостей контактирующих поверхностей
1153
Интегральный детектор ионизирующих излучений на основе гетероперехода сульфид-теллурид кадмия
1153
Вихревой оптический эффект магнуса в многомодовых волокнах
1149
Поликристаллические кремниевые пленки, легированные алюминием в процессе осаждения
1148
Вихревые структуры в керамике при высокоскоростном ударе
1148
Получение режима модуляции добротности в лазерах на основе одинарной гетероструктуры и генерация сверхмощных пикосекундных оптических импульсов
1145
Фоторезонансная ионизация газовых сред излучением эксимерных лазеров
1140
Мощный HF лазер с накачкой нецепной химической реакцией, инициируемой пучком электронов
1138
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет
9
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
8
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
8
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
7
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алексеев Э.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
6
Базаров Е.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
6
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Скворцов Г.Е.
Санкт-Петербургский государственный университет им. М.В. Ломоносова
5
Муратиков К.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Есипов Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Итс Е.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лашкул С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Проказников А.В.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Вальтер (H.G. Walther) Х.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Карге (H. Karge) Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Суворов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Беликов А.В.
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Усов И.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ерофеев А.В.
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Синельник Ю.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Суденков Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Будников В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Фелпс А.Д.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кросс А.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Мазец И.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Буланин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Айткен П.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Бучин Э.Ю.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
3
Козаков А.Т.
Ростовский-на-Дону государственный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3
Коромыслов В.А.
Ярославский государственный университет
3
Агеев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шевцова С.И.
Ростовский-на-Дону государственный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шибаев Л.А.
Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
3
Холоднов В.А.
Теоретический отдел Государственного научного центра Российской Федерации государственного предприятия НПО "Орион", Москва
3
Антонова Т.А.
Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
3
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
73
Ярославский государственный университет
13
С.-Петербургский государственный технический университет
11
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
9
Симферопольский государственный университет
8
Саратовский государственный университет
7
Институт общей физики РАН, Москва
6
Санкт-Петербургский государственный университет
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Мозырский государственный педагогический институт
3
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
3
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
3
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Харьковский государственный университет
3
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск
3
Вологодский политехнический институт
3
Центр перспективных технологий и разработок, С.-Петербург
2
Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики (технический университет)
2
Теоретический отдел Государственного научного центра Российской Федерации государственного предприятия НПО "Орион", Москва
2
Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики
2
Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино
2
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
2
Самарский государственный университет
2
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт радиофизики и электроники НАН Украины, Харьков
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
С.-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет)
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Институт проблем механики РАН, Москва
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Ереванский государственный университет
2
Институт импульсных процессов и технологий НАН Украины, Николаев
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
С.-Петербургский государственный университет
2
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
2
Ульяновский государственный университет
2
Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета
2

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme