Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лисаченко А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иову М.С.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ханчевская Е.Г.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Бичевин В.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
2
Михневич В.В.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Норинский Л.В.
Московский радиотехнический институт
2
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фомин Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бичевин П.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Тилевов С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет, г. Саранск
2
Лисовский В.А.
Харьковский университет ФТФ КФП, г. Харьков
2
Гомоюнова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андрухив A.M.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шматов М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пронин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синявский Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заднепровский Б.И.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Миронов К.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берченко Н.Н.
Львовский политехнический институт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Гущин Е.М.
Московский инженерно-физический институт
2
Коржик М.В.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Катков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мороз В.И.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Рандошкин В.В.
Институт общей физики, Москва
2
Логунов М.В.
Институт общей физики, Москва
2
Резников В.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Сомов С.В.
Московский инженерно-физический институт
2
Нефедов В.А.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук