Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лисаченко А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Иову М.С.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Гридин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров А.А.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Саков Д.М.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Зайнутдинов А.Х.
Ташкентский государственный университет
2
Шушерова Е.Э.
Институт общей физики, Москва
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Козлов В.А.
Институт общей физики, Москва
2
Дерягин Б.В.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Касымов А.А.
Ташкентский государственный университет
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Магрупов М.А.
Ташкентский государственный университет
2
Лалетин В.М.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Катков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ханчевская Е.Г.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Бичевин В.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Михневич В.В.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фомин Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бичевин П.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет, г. Саранск
2
Тилевов С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алексеев А.Е.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
2
Лисовский В.А.
Харьковский университет ФТФ КФП, г. Харьков
2
Гомоюнова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шматов М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пронин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Т.П.
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
Синявский Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук