Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лисаченко А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иову М.С.
Институт прикладной физики Академии наук Республики Молдова
3
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Андрухив A.M.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шматов М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пронин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синявский Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
2
Миронов К.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
2
Берченко Н.Н.
Львовский политехнический институт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Гущин Е.М.
Московский инженерно-физический институт
2
Рандошкин В.В.
Институт общей физики, Москва
2
Катков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет, Минск
2
Логунов М.В.
Институт общей физики, Москва
2
Резников В.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Сомов С.В.
Московский инженерно-физический институт
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Медведев Ю.В.
Львовский политехнический институт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Тимофеев М.К.
Московский инженерно-физический институт
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Климов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терехов А.С.
Институт физики полупрводников РАН, Новосибирск
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Китык И.В.
Львовский университет им. Ив. Франко
2
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гридин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Саков Д.М.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Салихов Т.П.
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
Зайнутдинов А.Х.
Ташкентский государственный университет
2
Шушерова Е.Э.
Институт общей физики, Москва
2
Козлов В.А.
Институт общей физики, Москва
2
Дерягин Б.В.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Кан В.В.
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук