Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Иову М.С.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лисаченко А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Рандошкин В.В.
Институт общей физики, Москва
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гридин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров А.А.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Логунов М.В.
Институт общей физики, Москва
2
Салихов Т.П.
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
Сомов С.В.
Московский инженерно-физический институт
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Кан В.В.
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент
2
Тимофеев М.К.
Московский инженерно-физический институт
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Китык И.В.
Львовский университет им. Ив. Франко
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Саков Д.М.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Зайнутдинов А.Х.
Ташкентский государственный университет
2
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
2
Шушерова Е.Э.
Институт общей физики, Москва
2
Козлов В.А.
Институт общей физики, Москва
2
Дерягин Б.В.
Институт физической химии РАН, Москва
2
Касымов А.А.
Ташкентский государственный университет
2
Фомин Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет, г. Саранск
2
Алексеев А.Е.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
2
Магрупов М.А.
Ташкентский государственный университет
2
Лалетин В.М.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ханчевская Е.Г.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Бичевин В.В.
Институт физики АН Эстонии, Тарту
2
Михневич В.В.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук