"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12086
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
205

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2017 год:
Статья
Просмотров
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка
445
Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов
50
Многоразрядная актуаторная система для силового электрогидродинамического воздействия на пограничный слой аэродинамических поверхностей
38
Разработка и применение устройства генерации холодной плазмы атмосферного давления для лечения повреждений кожи и мягких тканей животных
38
Ударопрочные керамические материалы на основе карбида кремния
34
Динамика изменения ИК-спектра дистиллированной и тяжелой воды при облучении электронным потоком наносекундной длительности
34
Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации
32
Модель ионного потока и методика расчета эрозии стенок разрядной камеры стационарного плазменного двигателя
30
Плазменно-иммерсионное формирование высокоинтенсивных ионных пучков
29
Особенности накопления электромагнитной энергии в области регулярной неровности диэлектрической сферы
28
Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней
28
Термодинамические свойства фуллерита C70
28
Неупругое поведение при сжатии керамики с иерархической поровой структурой
28
Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
28
Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре
28
Структурообразование наносистем цинка при использовании мембран АОА
27
Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
27
Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена
27
Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
27
Формирование слоев пористого кристаллического диоксида олова с использованием композита на основе массивов многостенных углеродных нанотрубок
26
Статья
Просмотров
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка
10803
Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов
3180
Защита GorillaoledR Glass от царапин пленкой AlMgB14
1451
Многоразрядная актуаторная система для силового электрогидродинамического воздействия на пограничный слой аэродинамических поверхностей
1428
Влияние фотоэлектронных процессов в полупроводниковой подложке на адсорбцию поликатионных и полианионных молекул
1291
Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре
1262
Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
1162
Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати
1139
Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
1109
Полировка поверхности сверхтвердых материалов пучками газовых кластерных ионов
1102
Активация гидрида магния прессованием с каталитическими добавками
1101
Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
1074
Гидрофобные свойства пленки фторполимера, покрывающей наночастицы золота
1045
Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
1023
Особенности накопления электромагнитной энергии в области регулярной неровности диэлектрической сферы
1006
Эффективность обратной частотной магнитно-импульсной обработки
1003
Нелинейное преобразование магнитного шума в магнитоэлектрической структуре
990
Ударопрочные керамические материалы на основе карбида кремния
988
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
945
Особенности формирования и развития ионизационных фронтов в предварительно ионизированной газовой среде
923
Экспериментальное исследование тонких пленок твердого электролита фосфор-оксинитрида лития
915
Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения
906
Особенности взаимодействия осесимметричной газовой струи с преградой из высокопроницаемого материала
900
Термодинамический подход к проблеме определения числа кластеров на основе тематического моделирования
891
Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
888
Влияние тонкой пленки a-SiOx:H на плазмонные свойства наночастиц золота
875
Оптическая спектроскопия массивов биметаллических наночастиц Ag-Au, полученных методом вакуум-термического испарения
874
Влияние гамма-излучения малых доз на электрофизические свойства мезопористого кремния
867
Особенности воздействия слаботочного газового разряда на сильную ударную волну
841
Определение аберрационных характеристик оптических систем, содержащих акустооптические дифракционные элементы
835
Особенности накопления энергии в двойном слое на поверхности графенового материала
832
Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней
820
Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si
818
Фотовольтаический эффект и подвижность носителей заряда в слоях композиции сополимера битиофена или ротаксана на его основе и производного фуллерена C70
813
Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
806
Концентрация плазмы разряда, поддерживаемого в неоднородном потоке газа мощным излучением терагерцового диапазона частот
799
Влияние типа проводимости кремниевой подложки на эффективность метода фотостимулированной адсорбции полиэлектролитов
795
Разработка и применение устройства генерации холодной плазмы атмосферного давления для лечения повреждений кожи и мягких тканей животных
795
Моделирование детектора зарядовых состояний релятивистских многозарядных ионов
789
Применение электростатической силовой микроскопии для оценки проводимости индивидуальных многостенных углеродных нанотрубок
787
Акустические колебания в интегральных электрооптических модуляторах на основе ниобата лития
786
Плазменно-иммерсионное формирование высокоинтенсивных ионных пучков
785
Распределение температуры в образце с микроскопическим включением второй фазы при облучении низкоэнергетическим импульсным сильноточным электронным пучком
774
Дефектная структура и механическая стабильность микрокристаллического титана, полученного при равноканальном угловом прессовании
768
Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами
767
Экспериментальное исследование ускорения электронов при введении расстройки между частотой следования сгустков и частотой возбуждаемого кильватерного поля
758
Создание дифракционной решетки на алмазной подложке имплантацией ионами бора
758
Влияние теплового старения на абсорбционные явления в кабельной изоляции сшитого полиэтилена
755
Анализ пространственного разрешения эксперимента по проверке принципа эквивалентности для нейтрона дифракционным методом
749
Исследование автоэмиссионной катодно-сеточной структуры на основе углеродных нанотрубок для электронно-оптических систем с ленточным пучком
747
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Храмов А.Е.
Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина, Саратов, Россия
9
Короновский А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
6
Маслов А.А.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Кульчин Ю.Н.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
6
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
5
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Зотова И.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Вербицкий В.Г.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
4
Кузьменков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Березовская Т.Н.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Минаков А.В.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Халисов М.М.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4
Москаленко О.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бунтин Д.А.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Анкудинов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Штром В.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Бобылев А.В.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Кабов О.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Гузанов В.В.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Буравлев А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Харламов С.М.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Галль Н.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Квон А.З.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Маркович Д.М.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Исаев С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет гражданской авиации
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павлов А.А.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Буланов А.В.
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток
3
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Федоров В.В.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Кудасов Ю.Б.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Степанов А.Л.
Казанский федеральный университет, Казань, Россия
3
Маслов Д.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Журавлёв К.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
70
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
19
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
19
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
16
Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина, Саратов, Россия
10
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
10
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
9
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
9
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
8
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
8
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
8
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
6
Сибирский федеральный университет, Красноярск
6
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
4
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
4
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Дальневосточный федеральный университет, Владивосток
4
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
3
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
3
Саратовский филиал института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
3
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Московский технологический университет (МИРЭА)
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Дагестанский государственный университет, Махачкала
3
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
3
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет
3
Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физиологии им. И.П. Павлова РАН, Санкт-Петербург
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт механики Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
2
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт"
2
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme