Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 12 » Статья стр. 42
<<<>>>
Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718
Пашковский А.Б.1, Новиков С.И.1, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
PDF версия
Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718
  1. Mei X., Yoshida W., Lange M. et. al. // IEEE Electron Device Lett. 2015. V. 36. N 4. P. 327--329
  2. Moschetti G., Leuther A., Mabler H. et al. // IEEE Microwave Wireless Components Lett. 2015. V. 25. N 9. P .618--620
  3. Campos-Roca Y., Tessmann A., Amado-Rey B. et al. // IEEE Microwave Wireless Components Lett. 2014. V. 24. N 11. P. 787--789
  4. Кальфа А.А., Пашковский А.Б. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 11. С. 2090--2092
  5. Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
  6. Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 5. С. 684--692
  7. Борисов А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 16. С. 41--47
  8. А. с. 897062 (СССР). Полевой транзистор / Тагер А.С., Кальфа А.А. Приоритет от 0.3.09.1980
  9. Кальфа А.А., Тагер А.С. // Электронная техника Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. В. 12 (348). С. 26--38
  10. Mimura T., Hiyamizi S., Fuji T., Numbu K. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. N 5. P. L225--L227
  11. Mimura T., Hiyamizi S., Hashimoto H., Fukuta M. // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. V. ED-27. N 11. P. 2197
  12. Delagebeaudeuf D., Delescluse P., Etinne P. et al. // Electron Lett. 1980. V. 16. N 17. P. 667--668
  13. Delagebeaudeuf D., Linch Chage N.T. // IEEE Trans. Electron Dev. 1981. V. ED-28. N 7. P. 790--795
  14. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415 с
  15. Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Микроэлектроника. 1993. Т. 22. В. 2. С. 15--19
  16. Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 33. В. 2. С. 346--355

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme