Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718
- Mei X., Yoshida W., Lange M. et. al. // IEEE Electron Device Lett. 2015. V. 36. N 4. P. 327--329
- Moschetti G., Leuther A., Mabler H. et al. // IEEE Microwave Wireless Components Lett. 2015. V. 25. N 9. P .618--620
- Campos-Roca Y., Tessmann A., Amado-Rey B. et al. // IEEE Microwave Wireless Components Lett. 2014. V. 24. N 11. P. 787--789
- Кальфа А.А., Пашковский А.Б. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 11. С. 2090--2092
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 5. С. 684--692
- Борисов А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 16. С. 41--47
- А. с. 897062 (СССР). Полевой транзистор / Тагер А.С., Кальфа А.А. Приоритет от 0.3.09.1980
- Кальфа А.А., Тагер А.С. // Электронная техника Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. В. 12 (348). С. 26--38
- Mimura T., Hiyamizi S., Fuji T., Numbu K. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. N 5. P. L225--L227
- Mimura T., Hiyamizi S., Hashimoto H., Fukuta M. // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. V. ED-27. N 11. P. 2197
- Delagebeaudeuf D., Delescluse P., Etinne P. et al. // Electron Lett. 1980. V. 16. N 17. P. 667--668
- Delagebeaudeuf D., Linch Chage N.T. // IEEE Trans. Electron Dev. 1981. V. ED-28. N 7. P. 790--795
- Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415 с
- Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Микроэлектроника. 1993. Т. 22. В. 2. С. 15--19
- Богданов Ю.М., Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 33. В. 2. С. 346--355
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
