Вышедшие номера
Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
Пашковский А.Б.1, Новиков С.И.1, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718