Вышедшие номера
Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена
Антонова И.В.1,2,3, Котин И.А.1, Орлов О.М.4, Девятова С.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва
Email: antonova@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Исследован захват заряда на тестовые структуры флеш-памяти с плавающими затворами из графена (мультиграфена) и его соединений (оксида графена и частично фторированного графена). Сравнение окна памяти для различных структур показало перспективность использования восстановленного оксида графена, мультиграфена и фторографена. Частично фторированный графен впервые был использован в качестве плавающего затвора в структурах флеш-памяти. Материалы на основе графена перспективны для 2D-печатных технологий и гибкой электроники. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45080.16623