Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва
Email: antonova@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Исследован захват заряда на тестовые структуры флеш-памяти с плавающими затворами из графена (мультиграфена) и его соединений (оксида графена и частично фторированного графена). Сравнение окна памяти для различных структур показало перспективность использования восстановленного оксида графена, мультиграфена и фторографена. Частично фторированный графен впервые был использован в качестве плавающего затвора в структурах флеш-памяти. Материалы на основе графена перспективны для 2D-печатных технологий и гибкой электроники. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45080.16623
- Hong A.J., Song K.B., Yu H.S. et al. // ACS Nano. 2011. V. 10. P. 7812
- Choi M.S., Lee G.-H., Yu Y.-J. et al. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 1624
- Sun L., Fugetsu B. // Mater. Lett. 2013. V. 109. P. 207
- Han S.T., Zhou Y., Sonar P. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2015. V. 7. P. 1699
- Abhishek M., Amritha J., Manali K. et al. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2013. V. 34. P. 1136
- YuY.-J., Zhao Y., Ryu S., Brus L.E., Kim K.S., Kim P. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 3430
- Dawlaty J.M., Shivaraman S., Chandrashekhar M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 042116
- Breusing M., Kuehn S., Winzer T. et al. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 153410
- Britnell L., Gorbachev R.V., Jalil R. et al. // Science. 2011. V. 335. P. 947
- Антонова И.В., Голод С.В., Соотс Р.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. С. 827
- Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Prinz V.Ya. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2015. V. 17. P. 13257
- Kotin I.A., Antonova I.V., Orlov O.М. et al. // Mater. Res. Express. 2016. V. 3. P. 066301
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
