"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
12839
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
272

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1999 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Гавриляченко В.Г.
Научно-исследовательский институт механики и прикладной математики Ростовского государственного университета
5
Попов И.Ю.
Институт точной механики и оптики, С.-Петербург
4
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
4
Позднякова И.В.
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
4
Резниченко Л.А.
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
4
Проскуровский Д.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
4
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Усанов Д.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Булярский С.В.
Ульяновский государственный университет
3
Зайцев Б.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Marquette University, Milwaukee, WI, USA
3
Кузнецова И.Е.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Marquette University, Milwaukee, WI, USA
3
Бородина И.А.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Marquette University, Milwaukee, WI, USA
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинская часть)
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Institut fur Festokorperphysik, Technische Unversitat Berlin Hardenbergstr. 36, Berlin, Germany
3
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дюжев Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Центр лазерной техники НИИЭФА
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Саратовское отделение)
3
Орлов А.М.
Ульяновский государственный университет
3
Скворцов А.А.
Ульяновский государственный университет
3
Фролов В.А.
Ульяновский государственный университет
3
Скворцов Г.Е.
С.-Петербургский государственный университет
3
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
3
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет
3
Шведов В.Г.
Симферопольский государственный университет
3
Месяц Г.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
3
Яландин М.И.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Стратклайдский университет, Глазго
3
Шпак В.Г.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Стратклайдский университет, Глазго
3
Шунайлов С.А.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Стратклайдский университет, Глазго
3
Ульмаскулов М.Р.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Стратклайдский университет, Глазго
3
Зотова И.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Зольников К.П.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Шредник В.Н.
Бергише университет, Вупперталь, Германия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
3
Зубков В.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
3
Щеглов В.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кадыров Р.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Руденский Г.Е.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Кузнецов В.М.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дробышевский Э.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
2
Вуль А.Я.
С.-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ГНЦ "Прикладная химия"
2
Кидалов С.В.
С.-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ГНЦ "Прикладная химия"
2
Миленин В.М.
С.-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ГНЦ "Прикладная химия"
2
Тимофеев Н.А.
С.-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ГНЦ "Прикладная химия"
2
Ходорковский М.А.
С.-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ГНЦ "Прикладная химия"
2
Джоши С.Г.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Marquette University, Milwaukee, WI, USA
2
Суханов А.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Резников В.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Холоднов В.А.
Государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва
2
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет Технический университет, г. Лодзь, Польша
2
Янсон Н.Б.
Саратовский государственный университет Технический университет, г. Лодзь, Польша
2
Анищенко В.С.
Саратовский государственный университет Технический университет, г. Лодзь, Польша
2
Каминский А.А.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Каминский А.К.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Седых С.Н.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Сергеев А.П.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Батраков А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Пегель И.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Безручко Б.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Венус Г.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаджиев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Губенко А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Портной Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Анели Дж.Н.
Институт механики машин АН Грузии, Тбилиси
2
Болоташвили М.М.
Институт механики машин АН Грузии, Тбилиси
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Вандакуров Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольман Е.К.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Каманина Н.В.
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Капорский Л.Н.
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудь Ю.В.
Государственный университет "Львовская политехника" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Иванов А.Ю.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Скупов В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Яковленко С.И.
Институт общей физики РАН, Москва
2
Кульков С.Н.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Дзилинский университет, г. Чань-Чунь, КНР
2
Морозов А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Шуаибов А.К.
Ужгородский государственный университет
2
Гудыма Ю.В.
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича
2
Афанасьев Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Центр лазерной техники НИИЭФА
2
Каратаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Центр лазерной техники НИИЭФА
2
Шишкин А.А.
Институт физики плазмы, Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина National Institute for Fusion Science, Toki 509--, Japan Харьковский государственный университет, Украина
2
Полуновский Э.И.
Институт физики плазмы, Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина National Institute for Fusion Science, Toki 509--, Japan Харьковский государственный университет, Украина
2
Раздобарин Г.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Хельсинки (Helsinki University of Technology), Финляндия
2
Толстяков С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Хельсинки (Helsinki University of Technology), Финляндия
2
Мамутин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пирятинский Ю.П.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Карманенко С.Ф.
Электротехнический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Сахаров В.И.
Электротехнический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Семенов А.А.
Электротехнический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Серенков И.Т.
Электротехнический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2
Григорьев О.А.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2
Аржанников А.В.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
2
Синицкий С.Л.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург С.-Петербургский государственный технический университет
2
Приходько А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург С.-Петербургский государственный технический университет
2
Мартюшев Л.М.
Институт промышленной экологии РАН, Екатеринбург
2
Селемир В.Д.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2
Долгополов В.В.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Овсянникова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фишкова Т.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев С.П.
Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И. Смирнова С.-Петербургского государственного университета
2
Кузьмин Ю.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2
Дулькин Е.А.
Научно-исследовательский институт механики и прикладной математики Ростовского государственного университета
2
Адуев Б.П.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Алукер Э.Д.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Кречетов А.Г.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Митрофанов А.Ю.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Мазец И.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Овсянников Г.А.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2
Константинян К.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2
Маштаков А.Д.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2
Степанцов Е.А.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
2
Липницкий А.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Иванов В.В.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Новиков М.А.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Геликонов В.М.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Греков Д.Л.
Институт физики плазмы, Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берг Д.Б.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург Институт промышленной экологии Уральского отделения РАН, Екатеринбург
2
Рябухо В.П.
Институт проблем точной механики и управления РАН, Саратов Саратовский государственный университет
2
Чаусский А.А.
Институт проблем точной механики и управления РАН, Саратов Саратовский государственный университет
2
Санников Д.Г.
Ульяновский государственный университет
2
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет
2
Шутый А.М.
Ульяновский государственный университет
2
Селезнев В.Д.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
2
Плотников В.А.
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Бухаров В.Э.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Роках А.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гогидзе И.Г.
Московский педагогический государственный университет
1
Ушаков Н.М.
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1
Бегер В.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
С.-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет)
1
Бабаева Н.Ю.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Хан С.К.
Саратовский государственный университет Национальный университет области Чхонгбук, Ю.Корея
1
Ким Ч.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Department of Physics, Chonnam National University, Kwangju, Korea
1
Грушко Н.С.
Ульяновский государственный университет
1
Полевин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Акопян Р.С.
Ереванский государственный университет
1
Латыпов В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гордиенко С.Н.
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, п. Черноголовка, Моск. обл. Институт космических исследований РАН, Москва
1
Копнин А.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская обл. Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
1
Мастеров В.Ф.
С.-Петербургский государственный технический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Гордиенко А.Б.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Словиковский Б.Г.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Козлов В.С.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
1
Клименко Г.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Дащенко А.И.
Ужгородский государственный университет
1
Тумаркин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Ходот А.Е.
Московский государственный инженерно-физический институт (Технический университет), Москва
1
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Национальный Политехнический институт, Гренобль, Франция
1
Рюмцев Е.И.
Научно-исследовательский институт физики, Научно-исследовательский институт радиофизики С.-Петербургского государственного университета
1
Кортхонджия В.П.
Институт физики АН Грузии, Тбилиси
1
Щеголев И.О.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Ельяшевич Г.К.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Тонтегоде А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Голубев С.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колпаков В.А.
Самарский государственный аэрокосмический университет
1
Белов И.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Орлов О.К.
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
1
Хайюн Чжэнь
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Дзилинский университет, г. Чань-Чунь, КНР
1
Фуше Ф.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Рочестерский университет, Рочестер, штат Нью-Йорк, США
1
Богданов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Центр лазерной техники НИИЭФА
1
Santala M.I.K.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Хельсинки (Helsinki University of Technology), Финляндия
1
Тэннэ Д.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ермолович И.Б.
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
1
Кошелев К.Н.
Институт экспериментальной физики, Университет, Дюссельдорф Институт спектроскопии РАН, Троицк Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Мягков Н.Н.
Институт прикладной механики Российской академии наук, Москва, Россия
1
Логинов В.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Кантор М.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Житков П.М.
Российский университет дружбы народов, Москва
1
Хирш Г.
Бергише университет, Вупперталь, Германия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Халиков П.А.
Институт ядерной физики АН РУ, Ташкент
1
Сумин В.В.
Московский институт стали и сплавов
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
45
Ульяновский государственный университет
10
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
9
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
7
С.-Петербургский государственный университет
6
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
6
С.-Петербургский государственный технический университет
6
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
5
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
4
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
4
Симферопольский государственный университет
4
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт радиотехники и электроники РАН (Саратовский филиал)
3
Институт общей физики РАН, Москва
3
Ростовский государственный университет
3
С.-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет)
3
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
3
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинская часть)
3
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Ярославский государственный университет
2
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Институт проблем точной механики и управления РАН, Саратов Саратовский государственный университет
2
Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, С.-Петербург
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, Баку
2
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Ереванский государственный университет
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск
2
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси
2
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Marquette University, Milwaukee, WI, USA
2
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Ужгородский государственный университет
2