Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
9
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
8
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
6
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
6
Балаев Д.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5
Шайхутдинов К.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5
Овчинников С.Г.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Красноярский государственный университет
5
Попков С.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5
Петров М.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5
Werner P.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
5
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет
5
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
5
Зеер Г.М.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Булина Н.В.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Талалаев В.Г.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Захаров Н.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсонов В.П.
Сургутский государственный университет
4
Кутеев Б.В.
С.-Петербургский государственный политехнический университет,
4
Каманина Н.В.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Корнич Г.В.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
4
Искандаров М.О.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Бетц Г.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
4
Никитичев А.А.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
4
Запорожченко В.И.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
4
Мирсагатов Ш.А.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
4
Бажин А.И.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
4
Сорокин А.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Чурилов Г.Н.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Тетюева Т.Н.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Глущенко Г.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Квеглис Л.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Ефремов А.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Смирнов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Рябоштан Ю.А.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
3
Орловский В.М.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Лунин Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Голикова Е.Г.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Тюрин Ю.Н.
Сумской государственный университет, Сумы, Украина
3
Ратушный В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
Олива Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
3
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук