Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
9
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
8
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
6
Сорокин А.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
5
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
5
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
4
Устинов В.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный университет
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Халле, Германия
4
Самсонов В.П.
Сургутский государственный университет
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
4
Чен Т.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
3
Воляр А.В.
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Фадеева Т.А.
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Дзедолик И.В.
Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Украина
3
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный университет
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Халле, Германия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный университет
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Халле, Германия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Орловский В.М.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Алексеев С.Б.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Чурилов Г.Н.
Красноярский государственный технический университет Институт химии и химической технологии СО РАН, Красноярск
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
3
Беломытцев С.Я.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Рыжов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
3
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Дащенко А.И.
Ужгородский национальный университет, Украина
3
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет
3
Мирсагатов Ш.А.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
3
Стогний А.И.
УП "Завод Транзистор" НПО "Интеграл", Минск, Беларусь Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
2
Новицкий Н.Н.
УП "Завод Транзистор" НПО "Интеграл", Минск, Беларусь Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
2
Стукалов О.М.
УП "Завод Транзистор" НПО "Интеграл", Минск, Беларусь Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
2
Светухин В.В.
Ульяновский государственный университет
2
Разумов С.В.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Тумаркин А.В.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Вендик О.Г.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Никольский М.А.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2
Голикова Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2
Рябоштан Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2
Сидоров А.И.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
2
Кутеев Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный политехнический университет
2
Киян Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фотиади А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шакин О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурин В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Корсукова М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никаноров С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Деркаченко Л.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зимкин И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чучман М.П.
Ужгородский национальный университет
2
Галль Н.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Величко А.А.
Петрозаводский государственный университет
2
Стефанович Г.Б.
Петрозаводский государственный университет
2
Пергамент А.Л.
Петрозаводский государственный университет
2
Левин М.Н.
Воронежский государственный университет
Воронежский государственный технический университет
2
Постников В.В.
Воронежский государственный университет
Воронежский государственный технический университет
2
Смирнов А.С.
С.-Петербургский государственный политехнический университет
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
2
Тополов В.Ю.
Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
2
Глушанин С.В.
Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
2
Попов В.Н.
Поморский государственный университет, Архангельск
2
Соколов Ю.В.
Воронежский государственный технический университет
2
Железный В.С.
Воронежский государственный технический университет
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Старостенков М.Д.
Алтайский государственный технический университет, Барнаул
2
Каманина Н.В.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
Всероссийский научный центр "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Искандаров М.О.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
Всероссийский научный центр "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Никитичев А.А.
Институт лазерной физики, С.-Петербург
Всероссийский научный центр "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
2
Мамедов М.М.
Центр физико-математических исследований при Туркменском государственном университете им. Магтымгулы, Ашгабат
2
Ткачев А.Н.
Институт общей физики РАН, Москва
2
Яковленко С.И.
Институт общей физики РАН, Москва
2
Махний В.П.
Черновицкий национальный университет им. Ю.Федьковича, Украина
2
Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
2
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
2
Мартюшев Л.М.
Институт промышленной экологии УрО РАН, Екатеринбург
2
Werner P.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
С.-Петербургский государственный университет
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Халле, Германия
2
Волков Н.Б.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Лунин Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Ратушный В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Олива Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Хвостикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
University of Tennessee at Chattanooga, TN Chattanooga, USA Dept of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, Canada
2
Драпак С.И.
Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2
Орлецкий В.Б.
Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2
Нетяга В.В.
Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2
Шимон Л.Л.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Кагадей В.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Нефедцев Е.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Проскуровский Д.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Романенко С.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Ходенков Г.Е.
Институт электронных управляющих машин, Москва
2
Глущенко Г.А.
Красноярский государственный технический университет Институт химии и химической технологии СО РАН, Красноярск
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Булина Н.В.
Красноярский государственный технический университет Институт химии и химической технологии СО РАН, Красноярск
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Новиков П.В.
Красноярский государственный технический университет Институт химии и химической технологии СО РАН, Красноярск
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Гришков А.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Ганжерли Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кибалов Д.С.
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
2
Журавлев И.В.
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
2
Смирнов В.К.
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
2
Ктиторов С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сапаев Б.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Онищенко И.Н.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Сотников Г.В.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Скупов В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Петров М.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
Красноярский торгово-экономический институт
2
Шайхутдинов К.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
Красноярский торгово-экономический институт
2
Балаев Д.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
Красноярский торгово-экономический институт
2
Попков С.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
Красноярский торгово-экономический институт
2
Овчинников С.Г.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
Красноярский торгово-экономический институт
2
Шевера И.В.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Крутиков В.С.
Институт импульсных процессов и технологий НАН Украины, Николаев
2
Вендик И.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина
Беларусский государственный университет, Минск, Беларусь Национальный университет, Ташкент, Узбекистан Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, Киев, Украина
2
Тюрин Ю.Н.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина
Беларусский государственный университет, Минск, Беларусь Национальный университет, Ташкент, Узбекистан Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, Киев, Украина
2
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ГосУНЦ "Колледж"
2
Пятницкий Л.Н.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Матвеев В.И.
Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Архангельский государственный технический университет
2
Жанабергенов Ж.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Каражанов С.Ж.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Миленин В.В.
Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
1
Абдижалиев С.К.
Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
1
Брязгунов Ю.И.
Воронежский государственный университет
1
Чертова Н.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Елистратов А.А.
Институт криптографии, связи и информатики, Москва
1
Арапов О.В.
С.-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
1
Стец Е.В.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Украина
1
Пономарев А.Н.
Институт физики С.-Петербургского государственного университета
1
Рюмцев Е.И.
Институт физики С.-Петербургского государственного университета
1
Сыса М.В.
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Волков Н.В.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Красноярский государственный университет
1
Кавеева Е.Г.
С.-Петербургский государственный политехнический университет Институт физики плазмы им. Макса Планка, Ассоциация Евроатом, Гархинг, Германия Институт физики плазмы им. Макса Планка, Грайфсвальд, Ассоциация Евроатом, Грайфсвальд, Германия
1
Бекхейт А.Х.
С.-Петербургский государственный политехнический университет Институт физики плазмы им. Макса Планка, Ассоциация Евроатом, Гархинг, Германия Институт физики плазмы им. Макса Планка, Грайфсвальд, Ассоциация Евроатом, Грайфсвальд, Германия
1
Усков В.Н.
Балтийский государственный технический университет, С.-Петербург
1
Комогорцев С.В.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Красноярский государственный технический университет
1
Чеканова Л.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Красноярский государственный технический университет
1
Рогожина Т.С.
Орловский государственный технический университет
1
Ануфриев К.М.
Орловский государственный технический университет
1
Батяев И.М.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Линников С.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Яценко В.К.
Запорожский национальный технический университет, Украина
1
Шадрин А.А.
Воронежский технический университет Пермский государственный университет
1
Ильичев Э.А.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва Институт физической химии, Москва
1
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Плешаков И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колесникова А.Л.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юдина С.В.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
Кринберг И.А.
Иркутский государственный университет
1
Черноизюмская Т.В.
С.-Петербургский государственный политехнический университет
1
Горбич Л.Г.
Институт промышленной экологии УрО РАН, Екатеринбург
1
Голант Е.И.
Государственное федеральное унитарное предприятие НПП "Исток", Фрязино
1
Кузнецова И.В.
Государственное федеральное унитарное предприятие НПП "Исток", Фрязино
1
Сидоренко Д.Ю.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
1
Онанко А.П.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Сеньковец Е.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Завадский С.М.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Zentrum fur Mikro- und Nanotechnologien, TU Ilmenau, Postfach, Ilmenau, BR Deutschland
1
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аскинази А.Ю.
С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
1
Куракин А.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Сотская Л.И.
Институт прикладной оптики НАН Белоруссии, Могилев
1
Месяц Г.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Кортходжия В.П.
Институт физики им. Э.Л. Андроникашвили АН Грузии, Тбилиси, Грузия
1
Ригина М.Б.
Институт импульсных процессов и технологий НАН Украины, Николаев, Украина
1
Кузнецов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Бохан П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
ООО НПП "Когерентные технологии", Новосибирск
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Телегин А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Бузников Н.А.
Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
1
Бетц Г.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
Донецкий национальный университет, Донецк, Украина
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Inst. fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,, Wien, Austria
1
Запорожченко В.И.
Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
Донецкий национальный университет, Донецк, Украина
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Inst. fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,, Wien, Austria
1
Заверюхина Н.Н.
ЗАО ПСП, Калужская область Национальный университет Узбекистана, Ташкент
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Падалица А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
1
Булаев П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
1
Геворкян Э.В.
Московский государственный областной университет
1
Романов А.А.
Московский государственный областной университет
1
Журавлев А.В.
Моcковский государственный университет им. М.В. Ломоносова
1
© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук