"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия
Заверюхин Б.Н.1,2, Мирсагатов Ш.А.1,2, Заверюхина Н.Н.1,2, Володарский В.В.1,2, Заверюхина Е.Б.1,2
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2ЗАО ПСП, Калужская область Национальный университет Узбекистана, Ташкент
Email: oybtm@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 17 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Для регистрации рентгеновского и гамма-излучений созданы CdTe--p-n-детекторы на основе тонких полупроводниковых пленок, имеющих столбчатую структуру. Детекторы изготовлены на молибденовых подложках путем сублимирования CdTe и магнетронного распыления атомов кадмия. Толщина p-CdTe-пленок d=30-150 mum, удельное сопротивление rho<=103-107 Omega·cm. Монокристаллы (зерно) пленок имеют поперечный размер 50-100 mum и ориентированы перпендикулярно к Mo-подложке. В сравнении с детекторными CdTe-монокристаллами пленочные CdTe-монокристаллы имеют более совершенную структуру, так как прослойки между ними являются эффективными стоками дефектов. Энергетическое разрешение CdTe-детекторов нового поколения достигает величины ~5 keV на линии 59.6 keV 241Am при комнатной температуре.
  1. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Иванов А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 7. С. 8--15
  2. Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 4. С. 495--498
  3. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 3. С. 375--378
  4. Takahashi T., Paul B., Hirose K., Matsumoto S., Ohni R. et al. // Nucl. Instr. Meth. 1999. V. A436. P. 111--119
  5. Matsumoto S., Takahashi T., Tikizawa K., Ohno R., Ozaki T., Mori K. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998. V. 45. P. 428--432
  6. Takahashi T., Horise K., Matsumoto S., Tikizawa K., Ohno R. et al. Proc. SPIE. 1998. V. 34--46. P. 29--37
  7. Hermon H., Shieber M., James R.B. et al. // Journal of Electronic Materials. 1999. V. 28. P. 688--702
  8. Мирсагатов Ш.А., Расулов Д.Т. // Доклады АН УзССР. 1977. N 7. С. 28--30
  9. Азимов С.А., Мирсагатов Ш.А., Музафарова С.А. // Гелиотехника. 1982. N 4. С. 7--11
  10. Burkmire R.W. et al. // 18-=SUP=-th-=/SUP=- IEEE Photovoltaic Spec. Conf. New York, 1985. P. 1413--1416
  11. Nakasawa T., Takomirawa K. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 5. N 5. P. 279--280
  12. Мирсагатов Ш.А., Сабиров К., Музафарова С.А. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 4. С. 733--736
  13. Гярягдыев Г., Любченко А.В., Сыпко С.А. // Фотоэлектрические явления в полупроводниках, АН СССР. Научный совет по проблеме "Физика и химия полупроводников". Тезисы докладов 2-=SUP=-й-=/SUP=- научной конференции. Ашхабад, 23--25 октября, 1991. Ашхабад: Ылым, 1991. С. 41--42
  14. Кристоффель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.: Наука, 1974. 220 с
  15. Мирсагатов Ш.А. Электронные процессы в SiC и CdTe-структурах. Докт. дис. Баку, 1988
  16. Бойко Б.Т., Копач В.Р. и др. // Гелиотехника. 1983. N 6. С. 7--10
  17. Elina A., Asano A., Takahaski T.J. // Phys. Rev. B. 1980. V. 22. N 4. P. 1980--1991
  18. Горшков А.В., Заитов Ф.А., Мирсагатов Ш.А. и др. // Доклады АН Азерб. ССР. 1981. Т. 37. N 11. С. 31--32
  19. Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 18. С. 1--12
  20. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1980. 296 с
  21. Еремин В.К. Исследование влияния объемного заряда на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений. Канд. дис. Л., 1978
  22. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Заверюхин Б.Н. и др. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 12. С. 2407--2410
  23. Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 525--528

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.