"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процессов роста и структуры эпитаксиальных слоев твердых растворов Si1-xSnx
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: atvi@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Методом жидкостной эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердого раствора Si1-xSnx (0=< x=<0.04) на подложках кремния в температурном интервале 1050-950oC. На основании анализа экспериментальных данных рентгенорадиометрических, рентгенодифрактометрических и морфологических исследований образцов были определены оптимальные режимы выращивания кристаллических совершенных слоев Si1-xSnx. Изготовленные Si--Si1-xSnx-структуры предназначены для использования в технологии производства различных приборов микроэлектроники.
  • Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 16. С. 71--75
  • Дейбук В.Г., Королюк Ю.Т. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 3. С. 298--300
  • Saidov M.S., Saidov A.A. // Heteroepitaxy of (IV-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=- and (IV--IV)-=SUB=-x-=/SUB=-(III--V)-=SUB=-1-x-=/SUB=- solid solutions. The 7-th Inter. Conf. On Vapour Growth and Epitaxy. July 1991. Nagoya. Jap. 17. P. 25
  • Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  • Саидов А.С., Кутлимратов А., Сапаев Б и др. // Вестник ГУЛГУ. 2001. N 2. С. 40--44
  • Мамиканян С.В. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгенорадиометрического анализа. М.: Атомиздат, 1976. С. 279
  • Саидов А.С., Сапаев Б., Кошчанов Э.А. и др. // ДАН РУз. 1994. N 11. С. 18--19.
  • Вегман Е.Ф., Руфанов Ю.Г., Федорченко И.Н. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография. М.: Металлургия, 1990. С. 264
  • Хенней Н. Химия твердого тела. М.: Мир, 1971. С. 224
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.