Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний--диоксид кремния
Парчинский П.Б.1, Власов С.И.1, Лигай Л.Г.1, Щукина О.Ю.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан 
Email: pavelphys@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Исследовано влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний-диоксид кремния, полученной при термическом окислении поверхности кремния. Показано, что ультразвуковое воздействие приводит к уменьшению скорости поверхностной генерации и увеличению генерационного времени жизни неосновных носителей заряда. Обнаруженные эффекты связаны с перестройкой дефектной структуры переходного слоя на границе раздела Si-SiO2 и прилегающей к ней области Si.
- Баранский П.И., Беляев А.Е., Коширенко С.М. и др. // ФТТ. 1990. Т. 32. N 7. С. 2159--2161
- Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. N 3. С. 525--528
- Брайловский Е.Ю., Здебский А.П., Корчная В.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. N 21. С.1310--1313
- Островский И.В., Стобленко Л.П., Надточий А.Б. // ФТП. 2000. Т. 34. N 3. С. 257--260
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов В.Д. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоиздат, 1988. 256 с
- Zerbst M. // Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. N 1. P. 3039--3046
- Kang J.S., Schroder D.K. // Phys. St. Sol. (a). 1985. V. 89. N 13. P. 13--14
- Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
- Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем метал--диэлектрик--полупроводник. Киев: Наук. думка, 1978. 316 с
- Schroder P.K., Culdberg J. // Sol. St. Electron. 1971. V. 14. N 6. P. 1285--1287
- Парчинский П.Б., Власов С.И. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. N 6. С. 466--471
- Гольдман Е.И. // ФТП. 1993. Т. 27. N 2. С. 269--276
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г. // ФТП. 1995. Т. 29. N 3. С. 2--428--437
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
