Электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3, выращенных на подложках диоксида кремния
Разумов С.В.1, Тумаркин А.В.1, Сыса М.В.1, Гагарин А.Г.1
1С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: thinfilm@eltech.ru
Поступила в редакцию: 6 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Исследованы тонкие сегнетоэлектрические пленки соединения титаната бария-стронция (BaxSr1-xTiO3), выращенные на подложках из плавленого кварца (SiO2) методом высокочастотного магнетронного распыления. Установлены зависимости коэффициента перестройки и уровня диэлектрических потерь от температуры синтеза и толщины полученных пленок, а также проведены сравнительные исследования электрических характеристик полученных пленок с пленками, выращенными на подложках поликристаллического оксида алюминия (Al2O3).
- Ponds J.M., Kirchoefer S.W., Chang W. et al. // Integr. Ferroelectr. 1998. V. 22. P. 317--323
- Miranda F., Van Keuls F.W., Romanofsky R.R. et al. // Integr. Ferroelectr. 1998. V. 22. P. 269--277
- Jaemo Im, Auciello O., Baumann P.K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 625--627
- Baniecki J.D., Laibowitz R.B., Shaw T.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 498--506
- Kozyrev A.B., Ivanov A.V., Samoilova T.B. et al. // Integr. Ferroelectr. 1999. V. 24. P. 297--307
- Разумов С.В., Тумаркин А.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 16. С. 17
- Razumov S.V., Tumarkin A.V., Buslov O.U. et al. // Integr. Ferroelectr. 2001. V. 39. P. 367--373
- Козырев А.Б., Иванов А.В., Солдатенков О.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 24. С. 16
- Козырев А.Б., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 6. С. 51--56
- Вендик О.Г., Зубко С.П., Никольский М.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 4. С. 1--7
- Гольман Е.К., Логинов В.Е., Прудан А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 21. С. 84--88
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук