Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Пухов А.А.
Объединенный институт высоких температур, Москва Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики РАН, Москва
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новоселов Ю.Н.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Технический Университет г. Берлина, Берлин, Германия
4
Рожков В.А.
Самарский государственный университет
4
Овсянников Г.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Поздняков О.Ф.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рыжов В.В.
Томский политехнический университет Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Редков Б.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Викторов И.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Козин И.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Феоктистов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуаибов А.К.
Ужгородский государственный университет
3
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
3
Белоусов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коваленков О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Bimberg D.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гольман Е.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осташев В.В.
Псковский политехнический институт
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Везиров Х.Н.
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники, Баку
3
Шевченко О.Д.
Псковский политехнический институт
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Новожилова Ю.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Технический университет, Усть-Каменогорск, Казахстан Институт электрофизики УрО РАН, Томск, Россия А.О. Востокмаш, Усть-Каменогорск, Казахстан
3
Лаврентьев В.И.
Сумский институт модификации поверхности, Сумы, Украина Технический университет, Усть-Каменогорск, Казахстан Институт электрофизики УрО РАН, Томск, Россия А.О. Востокмаш, Усть-Каменогорск, Казахстан
3
Анищенко В.С.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Арзуманов А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
3
Исаев С.А.
Академия гражданской авиации, С.-Петербург Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
3
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук